2007-10-29
org.kosen.entty.User@7846e3a2
양철규(sprtmWKd)
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반도체 관련하여 Inspection 장비 및 원리에 대해 알고 싶습니다.
photomask에서 die-to-die 검사를 하는 것으로 알고 있는데, 이때 사용모드가 투과 반사 mode가 있다고 알고 있으며, pattern이 미세화 될수록 현재 사용중인 투과 mode에서 반사 mode를 혼합하여 사용한다고 들었습니다.
이때..
<투과모드>
> 이때 왜 검사파장에서 60% 이하의 투과율이 필요한지?
-. 예를 들어 검사파장이 365nm에서 검사시 기판과의 투과율을 고려하여 60% 이하가 좋다고 하는데, 왜 그런지(원리)?
-. 만약에 박막이 70~80%의 투과율을 가지면 검사 자체를 못하는건지 아니면, 검사감도의 하락으로 되지 않는건지?
-. 이러한 Inspection 장비는 어떤 것이 있는지?
-. 상기의 inspection 장비의 각각 특성은 어떤건지?
<반사모드>
-. 반사모드는 검사파장에서의 기본적인 SPEC이 있는지?
(투과는 60% 이하라고 했는데, 반사의 경우 기판이 약 4~7% 이며, 이와 관련 contrast 조정을 위해서는 ??% 이상이 되어야 하는지..)
-.EUV 에서는 반사모드로만 inspection이 가능하다고 들었는데. 이와 관련 장비는 어떤것인지?
답변해 주시면 감사하겠습니다.
- Inspection
- semicondutor
- transmittance
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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