2007-11-21
org.kosen.entty.User@606d099a
김기효(kkg0820)
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저는 코팅하는 사람입니다.
직접 코팅, 박막설계 그리고 진공 장비도 Setting 합니다.
다름이 아니오라 진공 상태에서 분자(코팅물질-E/Beam 방식임)들은
직선(곡선) 운동과 함께 고유의 특성를 가지는데 있때 문제가 발생합니다.
임의의 지점에서는 분광 특성을 만족, 다른 임의의 지점에서는
흡수 현상이 발생합니다.
그리고 흡수된 지점은 E/Beam에서 거리가 제일 먼 지점 입니다.
그래서 박막의 두께을 편차 없이(장비 1650 제품의 길이가 42cm에서 3nm)
제어하고, 진공 Chamber 내부 온도 분포,진공 Speed 등 여러 각도에서
접근했지만 만족한 답을 찾을 수 없었습니다.
질문의 요지는 E/Beam에서 출발 한 증착 물질들이 증착하는 각도와 거리
에서 열전자에너지을 가속하 하여 분자들이 에너지을 가지고
기판에 증착시 그에 따른 에너지 및 거리 계산이 가능합니까.
증착물질의 n값 변화 원인 좀 알려 주세요.
1.물질을 증착 시 조사 각도와 조사 각도 범위가 얼마이며, 그 범위을
이탈 했을때 n값은 변화률이 얼마 인지 알려 주세요.
2.조사 각도 범위, E/Beam 과 기판의 거리가 얼마 일 때 n값은 변화하기
시작하는 지.
3.조사 각도 범위와 E/Beam과 기판의 거리 보상 할 수 있는 방법
가르쳐 주세요.
- kkg
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