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intrinsic layer?

태양전지를 공부하고 있습니다. intrinsic layer이 머에요.. 자세한 설명 부탁합니다..
  • intrinsic layer
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답변 1
  • 답변

    안길홍님의 답변

    반도체에서 보면 다수 캐리어(majority carrier),소수 캐리어(minority carrier) 또는 n-type반도체다,p-type반도체다 그리고 doping이라는 용어를 항상 대하게 됩니다. 예를 들어 태양전지에 많이 사용되는 Si에 대하여 살펴보면 Si단독으로 반도체를 만들었을 경우 이를 진성반도체(intrinsic semiconductor)라고 하며 이를 가지고 층을 이루었을 경우 intrinsic layer라고 합니다. 이에는 전자의 수와 양공의 수가 동일하게 됩니다.즉 number of e= number of hole이 됩니다. 그러나 doping을 하게 되면 진성반도체의 성질이 변하게 됩니다. Si은 4가 금속에 해당하는데 Si에 5가인 P,As,Sb를 doping하게 되면 Si이 5가 금속으로 부터 전자를 1개 빼앗아와서 원래의 전자보다 1개가 더 많게 됩니다. 그러면 전자가 양공의 수보다 많아져서 n-type반도체로 되며,전자가 majority carrier가 되며, 양공이 minority carrier가 됩니다. 반대로 3가인 B,Al,Gs,In을 doping하게 되면 Si은 전자를 1개 주어버리기 때문에 전자가 1개 부족한 상태가 됩니다. 즉,양공의 수가 전자의 수보다 많아 지게 됩니다. 이를 p-type반도체라 하며 majority carrier는 양공이 되며,minority carrier는 전자가 되는 것입니다.
    반도체에서 보면 다수 캐리어(majority carrier),소수 캐리어(minority carrier) 또는 n-type반도체다,p-type반도체다 그리고 doping이라는 용어를 항상 대하게 됩니다. 예를 들어 태양전지에 많이 사용되는 Si에 대하여 살펴보면 Si단독으로 반도체를 만들었을 경우 이를 진성반도체(intrinsic semiconductor)라고 하며 이를 가지고 층을 이루었을 경우 intrinsic layer라고 합니다. 이에는 전자의 수와 양공의 수가 동일하게 됩니다.즉 number of e= number of hole이 됩니다. 그러나 doping을 하게 되면 진성반도체의 성질이 변하게 됩니다. Si은 4가 금속에 해당하는데 Si에 5가인 P,As,Sb를 doping하게 되면 Si이 5가 금속으로 부터 전자를 1개 빼앗아와서 원래의 전자보다 1개가 더 많게 됩니다. 그러면 전자가 양공의 수보다 많아져서 n-type반도체로 되며,전자가 majority carrier가 되며, 양공이 minority carrier가 됩니다. 반대로 3가인 B,Al,Gs,In을 doping하게 되면 Si은 전자를 1개 주어버리기 때문에 전자가 1개 부족한 상태가 됩니다. 즉,양공의 수가 전자의 수보다 많아 지게 됩니다. 이를 p-type반도체라 하며 majority carrier는 양공이 되며,minority carrier는 전자가 되는 것입니다.
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