2008-01-10
org.kosen.entty.User@56eb6e3b
정대영(solarcell)
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4 ponit probe를 사용해서 silicon의 면저항을 측정하고자 합니다.
사용장비는 KEITHLEY 236 source measure unit 입니다.
전류 또는 전압을 입력하면 입력한 반대의 전압 혹은 전류의 값이 나타납니다.
그런데 메뉴 중에 remote측정 방법과 local 방법이 있는데 어떤 방법으로 해야하는지요
생각한 저항과 계산된 결과 값이 너무 차이가 납니다.
자세한 계산 방법과 사용방법을 알고 계시다면 좀 알려주셨으면 합니다.
- four point probe
- Sheet resistance
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 3
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답변
이원희님의 답변
2008-01-11- 0
>4 ponit probe를 사용해서 silicon의 면저항을 측정하고자 합니다. > >사용장비는 KEITHLEY 236 source measure unit 입니다. > >전류 또는 전압을 입력하면 입력한 반대의 전압 혹은 전류의 값이 나타납니다. > >그런데 메뉴 중에 remote측정 방법과 local 방법이 있는데 어떤 방법으로 해야하는지요 > >생각한 저항과 계산된 결과 값이 너무 차이가 납니다. > >자세한 계산 방법과 사용방법을 알고 계시다면 좀 알려주셨으면 합니다. > 저도 자세히는 모르지만 윗분께서 sample이 정사각형이여야 한다는 말에 의문이 가서 글을 남깁니다. 정사각형이 아니면 probe의 간격이 달라지신다고 했는데 제가 알기로는 4개의 probe의 간격은 고정되어 움직이지 않는걸로 알고있습니다. 키슬리꺼는 잘 모르겠지만 다른 제품에서는 - Sample의 Size가 직경 2 inch 이상이거나, 50×50 mm 이상일 때. - 실온이 18°~23° 범위일 때. -박막의 두께가 400um이하일 때. Correction Factor (보정계수)의 값을 변경하여 한다고 알고있습니다. 도움이 됐을지는 모르겠지만 업체에 전화해서 물어보는것이 가장 빠를꺼 같습니다. 수고하세요~!! -
답변
안길홍님의 답변
2008-01-11- 0
정4각형이면 probe의 간격으로써 S로 두면 간단합니다. 다르게 설정할 수도 있습니다.이때는 다음식을 적용하여야 합니다. S1,S2,S3가 다를 때 S=1/{(1/S1)+(1/S3)-[1/(S2+S3)]-[1/(S1+S2)]} 로써 계산하기가 귀찮아 집니다. 그리고 위의 equation에서 (참고file) Rs에서의 Factor를 반드시 고려하여야 합니다.(file을 보아주시기 바랍니다). Rs는 ρ와는 다릅니다. -
답변
안길홍님의 답변
2008-01-11- 0
생각한 저항과 측정저항이 얼마가 나오는지 모르겠습니다. 우선 크게 점검할 사항은 다음과 같이 생각할 수 있겠습니다. (1)장치 : 약1시간정도 warm-up시켰는지요? 200~250C [remote는 뒷면의 IEEE-488단자에 연결하는 unit가 있어야 되므로, unit가 없으므로 Local로 하면 됩니다] (2)시편의 준비 :정확히 정4각형인지? 그리고 정4각형의 각진 모서리부위를 R(둥글게) 지었는지요?R 짓지 않으면 전기는 모서리부위로 모이기 때문에 측정치가 차이가 있으며,또한 정확히 정4각형이 아니면 probe간의 간격이 다르기 때문에 아래(3)의 계산식이 달라지게 됩니다. (3)계산식 ρ = 2πS*F(V/I) 단,F=1로 함. Van der Pauw technique (S=probe간격, F=correction factor) 을 적용하여 계산하였는지? 이상을 먼저 점검하여 보시기 바랍니다. 참고로 4point probe 의 적용equation을 올립니다.