2008-01-31
org.kosen.entty.User@13f1357b
이동구(ldg2002w)
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분자들이 가까운 거리에 위치할 경우 분자 오비탈이 형성되면서 anti-bonding, bonding 결합으로 나누어 지면서, 여러개의 분자들이 가깝께 위치하면서 그 영향으로 에너지 band 구조가 형성된다고 어딘가에서 본 것 같습니다.
에너지 band 구조를 설명하는 글은 여러가지가 있는것 같은데요, 궁금한점이 결합, 반결합에 의해서 conduction band 와 valence band 가 나눠지게 된다면 conduction band 에 전자가 올라간다는 말은 반결합 분자 오비탈에 전자가 올라갓다는 것 같은데요,
보통 conduction band에 전자가 올라갈 경우 전하가 자유롭게 이동할 수 있다고 들었는데, 분자 오비탈의 관점에서 생각한다면 어떻게 생각을 해야 될지 궁금하네요
제가 지식이 짧아서.. 혼자 찾아볼려니 찾기도 힘들고 헷갈리기만 하네요 ㅠ
도와주세요 ^ ^
- conduction band
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 1
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답변
안길홍님의 답변
2008-02-01- 0
Energy band는 1mol wt.기준으로 성립된 것입니다. 예를 들면, Si의 1at.wt는 28.0855(Si는 합성이 아니므로 atomic wt를 기준함), TiO2는 1mol.wt는 79.87에 대한 기준입니다. 그리고 Si반도체 같으면 1at.wt인 Si이 단결정을 이루어 격자정합을 이루고 있는 것을 말하며, 이때의 Energy band를 말하고 있습니다. 다음의 자료를 찾아보시면 쉽게 설명되어 있습니다. google.com에 접속하시어서 “semiconductor,wikipedia“ ,“conduction band,wikipedia“ “valence band,wkipedia““bandgap energy,wikipedia“를 검색하시면 아주 쉽게 설명되어 있습니다.