2008-02-29
org.kosen.entty.User@45f4a633
오세만(ohminy)
- 2
Si sub 위에 SiO2 와 SiC 가 있는데요
Si 는 남기고 패턴을 하려고 합니다.
여러가지 찾아봤지만 습식 식각으로는 SiC만을 선택적으로 날리는것이 어렵다고들 하던데요
건식을 사용하면 가능할것 같기는 하지만 아래쪽의 Si sub가 오버에칭 되어서
소자에 영향을 미칠까 꺼려집니다.
혹시, 적당한 방법을 알고 계신다면 무지한 저에게 알려주세요.. ㅜ.ㅜ
- SiC
- Si
- etching
지식의 출발은 질문, 모든 지식의 완성은 답변!
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
답변 2
-
답변
안길홍님의 답변
2008-03-02- 0
반도체 관련 기술 및 장비의 발전 속도가 워낙 빨라서 최근에는 어떤 기술 및 장비를 사용하고 있는지는 잘 모르겠습니다만, 보편적으로 생갈 할 수 있는 것은 laser기술 과 plasma기술 인데, laser는 열로 인한 박막 내부의 bombard현상으로 인하여 cutting이외는 잘 사용하고 있지 않으며, 주로 plasma etching을 하고 있습니다. Plasma etching장비가 학교에 있는지 check하여 보시고, 없다면 장비를 갖춘 Lab.이나 반도체장비 업체를 찾아보시는 것이 좋을 것 같습니다. 몇가지 참고자료를 올려드립니다. (file이 이상하게 잘 올라가지 않아서 한가지는 mail로 보내 드리겠습니다) -
답변
이혜진님의 답변
2008-03-03- 0
제가 보기엔 습식방법은 힘들 것 같고요.... 건식식각도...마찬가지? 그런데 요즘 Plasma를 이용하거나 Laser 스크라이빙이 가능한 것 같습니다. 레이저의 경우 열문제가 있으니 주의 바랍니다. 또한 레이저를 이용한 방법은 공정조건을 잡는데 노하우가 관건입니다.