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SOI (silicon on insulator) 의 정확한 정의는?

2008-03-07 org.kosen.entty.User@40fbf130 오세만(ohminy)
  • 2
TFT 에 대해 공부중에 있는데요. 한 논문에서 이런 문장을 봤습니다. We define a TFT as follows: a field-dffect transistor built using a semiconductor thin film which is originally deposited on an insulating substrate or surface and processed at temperatures below the melting point of the semiconductor material. Under this definition, some of the silicon on insulator (SOI) devices are inculded in TFTs. 이 말에 의하면 SOI 또한 TFT의 일종으로 볼수 있다는 얘기가 되는데요. 근데 여기서 의문이 가는점이 우리가 흔히 말하는 SOI는 TOP Si 가 모노크리스탈인 wafer를 말하자나요. 1. Top Si 가 poly 인 경우도 SOI 라고 할 수 있나요? 2. SOI의 정확한 정의가 무엇인가요. 3. SOI가 TFT에 포함된다는 위 얘기가 사실이라고 할 수 있나요? 4. 그럼 SOI와 TFT의 차이점은 무엇이라고 할 수 있나요. 그냥 쉽게 넘어갈수 있는 부분인데도 왠지 자꾸 맘에 걸립니다 ;; 머리속에서 떠나질 않네요 ;; 도와주세요.. 참고 문헌같은걸 추천해주셔도 좋고 첨부해주셔도 좋습니다. 많은 답변 부탁드릴께요.
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    고상운님의 답변

    2008-03-07
    • 0
    >TFT 에 대해 공부중에 있는데요. > >한 논문에서 이런 문장을 봤습니다. > >We define a TFT as follows: a field-dffect transistor built using a semiconductor thin film which is originally deposited on an insulating substrate or surface and processed at temperatures below the melting point of the semiconductor material. Under this definition, some of the silicon on insulator (SOI) devices are inculded in TFTs. > >이 말에 의하면 SOI 또한 TFT의 일종으로 볼수 있다는 얘기가 되는데요. >근데 여기서 의문이 가는점이 우리가 흔히 말하는 SOI는 TOP Si 가 모노크리스탈인 wafer를 말하자나요. > >1. Top Si 가 poly 인 경우도 SOI 라고 할 수 있나요? >2. SOI의 정확한 정의가 무엇인가요. >3. SOI가 TFT에 포함된다는 위 얘기가 사실이라고 할 수 있나요? >4. 그럼 SOI와 TFT의 차이점은 무엇이라고 할 수 있나요. > >그냥 쉽게 넘어갈수 있는 부분인데도 왠지 자꾸 맘에 걸립니다 ;; >머리속에서 떠나질 않네요 ;; >도와주세요.. > >참고 문헌같은걸 추천해주셔도 좋고 첨부해주셔도 좋습니다. >많은 답변 부탁드릴께요. 짧은 소견으로는, 쉽게 생각하시면 될거 같은데요. TFT의 구성은 아시다시피, 글라스 기판 위에 실리콘이 형성되어 있으며 SOURCE/DRAIN,GATE가 형성되어 TR구조잖아요. SOI라고 하는 것은 마찬가지로 글라스 같은 절연층이 있고 그 위에 실리콘의 특정한 그레이드가 형성되어 있는 구조이므로 결과적으로 같은 얘기 아닌가요? 그리고, TOP Si가 poly 일 경우도 SOI라고 정의할 수 있겠네요.
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    >TFT 에 대해 공부중에 있는데요. > >한 논문에서 이런 문장을 봤습니다. > >We define a TFT as follows: a field-dffect transistor built using a semiconductor thin film which is originally deposited on an insulating substrate or surface and processed at temperatures below the melting point of the semiconductor material. Under this definition, some of the silicon on insulator (SOI) devices are inculded in TFTs. > >이 말에 의하면 SOI 또한 TFT의 일종으로 볼수 있다는 얘기가 되는데요. >근데 여기서 의문이 가는점이 우리가 흔히 말하는 SOI는 TOP Si 가 모노크리스탈인 wafer를 말하자나요. > >1. Top Si 가 poly 인 경우도 SOI 라고 할 수 있나요? >2. SOI의 정확한 정의가 무엇인가요. >3. SOI가 TFT에 포함된다는 위 얘기가 사실이라고 할 수 있나요? >4. 그럼 SOI와 TFT의 차이점은 무엇이라고 할 수 있나요. > >그냥 쉽게 넘어갈수 있는 부분인데도 왠지 자꾸 맘에 걸립니다 ;; >머리속에서 떠나질 않네요 ;; >도와주세요.. > >참고 문헌같은걸 추천해주셔도 좋고 첨부해주셔도 좋습니다. >많은 답변 부탁드릴께요. 짧은 소견으로는, 쉽게 생각하시면 될거 같은데요. TFT의 구성은 아시다시피, 글라스 기판 위에 실리콘이 형성되어 있으며 SOURCE/DRAIN,GATE가 형성되어 TR구조잖아요. SOI라고 하는 것은 마찬가지로 글라스 같은 절연층이 있고 그 위에 실리콘의 특정한 그레이드가 형성되어 있는 구조이므로 결과적으로 같은 얘기 아닌가요? 그리고, TOP Si가 poly 일 경우도 SOI라고 정의할 수 있겠네요.
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  • 답변

    안길홍님의 답변

    2008-03-07
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    첨부파일

    TFT란 thin film transistor로써 박막으로 반도체가 구성되어 있으면 전부 TFT라고 합니다. 잘 아시는 LCD가 박막으로 구성되어 있으므로 TFT-LCD라고 합니다. TFT란 어떤 특정한 것을 의미하는 것이 아니고 총체적인 의미라고 말 할수 있습니다. TFT-FET라면 표면전계효과 트랜지스터(field effect transistor)가 박막 으로 구성되어 있다는 것을 말합니다. 그리고 표면전계란 전기가 표면으로만 흐른다는 것을 말합니다. 첨부file의 구조를 보면 절연substrate위 에 p-type반도체 박막이 있고, 그 위에 저저항 n-type(이를 n+라고 함),n-type,저저항 n-type반도체로 이루어져 있는데 전류가 소스,드레인을 통하여 흐르는데 중간에 있는 게이트는 밑의 p-type으로 부터 반전층이 형성되어 전류를 증폭시키는 역활을 하게 되는 것입니다. 이러한 소자의 재질이 poly-Si가 될 수도 있고,a-Si도 될 수 있고,GaAs도 될 수 있습니다.그러나 박막이면 모두 TFT에 해당한다 라고 말합니다. FET에서 SOI라는 것은 substrate가 절연체인 insulator(I)이고 그 위에(on) silicon(S)으로 되어 있다는 구조에 대한 것이고 이것이 박막으로 되어 있으므로 TFT라는 개념의 반도체에 포함된다 라는 것을 의미합니다. 반도체에 관한 책을 보시면 굉장히 어려운 용어가 많습니다. 쉬운 서적으로 반도체공학(한자로 되어 있음),대광서림 출판, 저자는 일본인이고, 이용화 역, 이라는 책이 만오천원정도 주면 살 수 있습니다.(200page정도 됩니다)
    답변수정
    TFT란 thin film transistor로써 박막으로 반도체가 구성되어 있으면 전부 TFT라고 합니다. 잘 아시는 LCD가 박막으로 구성되어 있으므로 TFT-LCD라고 합니다. TFT란 어떤 특정한 것을 의미하는 것이 아니고 총체적인 의미라고 말 할수 있습니다. TFT-FET라면 표면전계효과 트랜지스터(field effect transistor)가 박막 으로 구성되어 있다는 것을 말합니다. 그리고 표면전계란 전기가 표면으로만 흐른다는 것을 말합니다. 첨부file의 구조를 보면 절연substrate위 에 p-type반도체 박막이 있고, 그 위에 저저항 n-type(이를 n+라고 함),n-type,저저항 n-type반도체로 이루어져 있는데 전류가 소스,드레인을 통하여 흐르는데 중간에 있는 게이트는 밑의 p-type으로 부터 반전층이 형성되어 전류를 증폭시키는 역활을 하게 되는 것입니다. 이러한 소자의 재질이 poly-Si가 될 수도 있고,a-Si도 될 수 있고,GaAs도 될 수 있습니다.그러나 박막이면 모두 TFT에 해당한다 라고 말합니다. FET에서 SOI라는 것은 substrate가 절연체인 insulator(I)이고 그 위에(on) silicon(S)으로 되어 있다는 구조에 대한 것이고 이것이 박막으로 되어 있으므로 TFT라는 개념의 반도체에 포함된다 라는 것을 의미합니다. 반도체에 관한 책을 보시면 굉장히 어려운 용어가 많습니다. 쉬운 서적으로 반도체공학(한자로 되어 있음),대광서림 출판, 저자는 일본인이고, 이용화 역, 이라는 책이 만오천원정도 주면 살 수 있습니다.(200page정도 됩니다)
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