2008-03-10
org.kosen.entty.User@245311a1
임유승(rim2000)
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안녕하세요 TFT 소자 측정에 대해 문의좀 드립니다!
1. 전계효과 이동도 구하기
gm(전달컨덕턴스) 값을 이용하여,
gm = (W/L)*Ci*u*Vd (Vd < Vdsat)
식을 보면 이동도와 정전용량이 변수인데, 이동도를 구하려면 정전용량을 알아야할거
같은데요.
Ci 값을 결정하는 방법이 궁금합니다!
1. 주로 측정을 통해 알 수 있는 것인가요? 그렇다면 매번 제작시마다 재연성이 떨어진다면 다시 측정해야하는 것인지요? 측정 방법이 궁금합니다! 어떤장비와 측정할려면 소자 구성을 해야하나요?
2. 측정이 필요없다면 어떻게 해야할까요? 혹시 절연층으로 사용된 재료의의 본래 비유전율과
두께, 면적을 알면, 구할 수 있는 것인지요? C구하는 식의 면적은 제작한 절연층 패턴의 면적인지요? 아님 W/L 사이의 면적인지 궁금합니다.
두서없고 모르는게 많아 꼭좀 알고 싶은 부분입니다. 주변에 하시는 분도 없고 혼자 하려니 힘드내요.. 부탁드립니다 코센 가족여러분!
- TFT
- MOSFET
- TRANSISTOR
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 3
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답변
안길홍님의 답변
2008-03-10- 0
정전용량을 측정할려면 측정기를 사용하면 되는데,이러한 것이 문제가 아니고 예를들어 MOSFET N-channel enhancement하면 이에 대한 standard specification이 정해져 있습니다.이러한 것은 생산 공정에 관한 것입니다.반도체 공장이 어떤 반도체를 만들기 위하여서는 pilot lab.에서 시제품을 생산하고 이를 검사과정을 거치고,생산하여도 품질에 불량이 없겠다라는 확신이 되어야 양산체제에 들어가게 되는 것입니다.즉,어느 시간에 한개 한개를 검사하겠습니까? 예를 들어 반도체 1개에 1$이라고 하였을 때,기판으로 만들었을 때는 100$,어떤 장치로 조립하였을 때는 1,000~10,000$이 되는데,반도체 1개 1$로 인하여 전체가 불량이 나도록은 하지 않습니다. 그리고 반도체가 만들어 졌을 때는 이를 검사하는 절차와 장비가 있습니다.귀하가 공부하셔야 할 점은 이러한 공정에 관한 것이 아니고 기본적인 원리에 대하여 아셔야 하는 것이 더욱 필요할 것 같습니다. 지금 현재 검사를 어떻게 하느냐? 불량이 나면 어떻게 하느냐? 하는 점에 대하여 우려하지 말고,MOSFET같으면 어떤 구조로 되어 있고, material은 어떠한 것을 사용하며,FET에도 여러가지 종류가 있는데 어떤 종류가 있으며,어떤 원리에 의하여 작동하고,이로 인하여 어떤 용도로 사용되느냐 하는 것을 파악하는 것이 더욱 필요할 것 같습니다. 나아가 개선 또는 개발여지에 대하여서는? (국제표준 규격은 이미 모든 것이 설정되어 있습니다.) 몇 가지 자료를 참고하세요. 다음의 site는 꼭 보시기 바랍니다. www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/mosfet,html http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/contents.htm 그리고 측정에 관한 자료 한가지가 file로 올라가지 않아서 eMail로 보내니 참고하세요. -
답변
임유승님의 답변
2008-03-10- 0
참고자료 정말 감사드립니다. 다름이 아니오라 제가 궁금한 것은 실제로 스팩이 궁금한 것이 아닌 직접 소자의 제작시에 특히 절연층을 AlOx 나 HfO 혹 SiO를 직접 증착시에 초기에 정전용량 및 비유전율에 대한 결정 때문입니다. 이부분들을 벌크 값들을 염두에 둔다면 혹시 이러한 절연층들의 평균 혹은 정해진 유전상수 값을 나타내는 표나 값은 없을까요? -
답변
안길홍님의 답변
2008-03-10- 0
물질에는 고유의 유전상수를 가지고 있습니다. 이를 찾을려면 위의 site를 방문하면 하단부에 A/B/C/D.....인 영문 대문자가 있습니다. 따라서 Alumina(Aluminium Oxide)같으면 A를 click하면 A군에 대한 물질이 나옵니다. 그리고 Silicon Oxide(SiO2) 이면 S를 click하면 됩니다. 만일 Hafnium Oxide와 같이 물질이 list에 없으면,www.google.com에 접속하여 검색어“hafnium oxide,electrical property,dielectric constant“로 검색하면 찾을 수 있습니다(첨부자료). 이러한 자료에서 (소성온도,도막 두께 등에서 약간의 차이는 있으나) HfO2의 bandgap energy는 약5.68eV, dielectric constant: 25~30 이라는 자료를 찾을 수 있습니다.