지식나눔

TEOS (Tetra-ethyl-ortho-silicate)

공부하다가 아리까리한게 하나 나와서요. Tetra-ethyl-ortho-silicate (TEOS) 에 대해서 알고싶습니다. 절연체로 쓰이며, 시멘트 제료로 쓰이기도 하고,, 등등 그런정도는 이미 조사가 ?榮쨉?? 실제로 반도체 공정에서 주로 어떻게 많이 쓰이고 반도체 공정에서의 장점 단점 같은거 위주로 답변해주시면 감사하겠습니다. ^^;; 질문 까다롭게 해서 죄송합니다.. 꾸벅~
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답변 1
  • 답변

    안길홍님의 답변

    아리 까리 하거나 까다로울 것 하나도 없습니다. 반도체에서 SiO2로 절연층을 형성 할 경우가 많은데요, 이때 Si(1000C), SiH4+O2(450C),TEOS(700C),SiCl2H2+N2O(900C)로 형성합니다. Low pressure CVD로써 700C에서 TEOS를 처리하면 Si(OC2H5)4 ---->SiO2가 형성 됩니다. 장점은 (1)절연층 형성(2)표면 도포성이 좋음(3)표면 경도가 높음 (4)Deposition속도가 적당함 단점은 도포면의 두께의 편차가 쪼금 있음: ~3% 정도 Deposition rate: 약 9.2nm/min, refraction index : 1.45 이상이면 되겠지요?
    아리 까리 하거나 까다로울 것 하나도 없습니다. 반도체에서 SiO2로 절연층을 형성 할 경우가 많은데요, 이때 Si(1000C), SiH4+O2(450C),TEOS(700C),SiCl2H2+N2O(900C)로 형성합니다. Low pressure CVD로써 700C에서 TEOS를 처리하면 Si(OC2H5)4 ---->SiO2가 형성 됩니다. 장점은 (1)절연층 형성(2)표면 도포성이 좋음(3)표면 경도가 높음 (4)Deposition속도가 적당함 단점은 도포면의 두께의 편차가 쪼금 있음: ~3% 정도 Deposition rate: 약 9.2nm/min, refraction index : 1.45 이상이면 되겠지요?
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