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지식나눔

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F-N (Fowler Nordheim) plot ??

2008-06-22 org.kosen.entty.User@14ceb71d 오세만(ohminy)
  • 1
안녕하세요. 반도체를 공부하고 있는 학생입니다. 공부를 하다가 F-N plot 이라는 난관에 봉착하였습니다. 논문도 찾아보고 책도 찾아보고 하고 있는데;; 관련 논문도 몇개 없고 (있긴 있는데.. 저희 학교에서 검색이 불가능 하네요.) 너무 어렵습니다. F-N plot 을 구하는것이 목적인데요. 그러기 위해서는 Fox (oxide field) 를 구해야 한다는 것을 알았습니다. 그리고 effective mass 와 barrier heiht도 구해야 하고.. 관련 공식도 찾고 했는데... 계속 모순에 빠지는 것이.. 방정식에 변수가 하나 빠져 있는것 같습니다. 혹시 알고 계신 고수님이 계시다면.. 조언좀 부탁드립니다. 제가 참고한 논문은 Determination of the Si-SiO2 Barrier Height from the Fowler Nordheim Plot p.Olive, J Sune and Bruno Ricco IEEE Improvement of the current voltage characteristics of a tunneling dielectric by adopting a Si3N4/SiO2/SiN4 multilayer for flash memory application Sun Hun Hong, Jae Hyuck Jang at el. APL 입니다.
  • Fowler
  • Nordheim
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답변 1
  • 답변

    김도형님의 답변

    2008-06-23
    • 0
    Fowler-Nordheim(F-N) 식은 F-N 터널링을 기술하는 식입니다. J = A*E^2*exp(-B/E) 형태로 주어집니다. 여기서 J는 전류밀도, E는 외부 전기장, A와 B는 상수입니다. A와 B 속에 주어진 상황, 예를 들어 schottky lowering, work function(질문글에서 barrier height에 해당) 등등의 상수들이 들어갑니다. F-N plot이란 위 식을 조금 변형해서 그린 것을 말합니다. 위 식에서 양변에 로그를 취하면 ln(J/E^2) = a/E + b 형태의 식을 얻게 되고 그러면 ln(J/E^2)과 1/E가 비례하는 관계가 됩니다. 따라서 x축에 1/E, y축에 ln(J/E^2)을 잡으면 직선이 되고 직선의 기울기를 통하여 F-N 특성을 파악할 수 있게 됩니다. F-N plot은 오래전부터 나온 식으로 관련 서적이나 논문은 쉽게 찾을 수 있습니다. 검색이 잘 안되면 “Fowler-Nordheim“ 또는 “cold emission“등의 검색어를 사용해 보세요. 먼저 Fowler-Nordheim 에 관한 기본 개념을 이해하신 뒤에, 보시고자 하는 상황에 대입하여 실제 F-N plot을 그려보시는 것이 좋을 것 같습니다. >안녕하세요. 반도체를 공부하고 있는 학생입니다. >공부를 하다가 F-N plot 이라는 난관에 봉착하였습니다. >논문도 찾아보고 책도 찾아보고 하고 있는데;; >관련 논문도 몇개 없고 >(있긴 있는데.. 저희 학교에서 검색이 불가능 하네요.) >너무 어렵습니다. > >F-N plot 을 구하는것이 목적인데요. >그러기 위해서는 Fox (oxide field) 를 구해야 한다는 것을 알았습니다. >그리고 effective mass 와 barrier heiht도 구해야 하고.. >관련 공식도 찾고 했는데... >계속 모순에 빠지는 것이.. >방정식에 변수가 하나 빠져 있는것 같습니다. > >혹시 알고 계신 고수님이 계시다면.. >조언좀 부탁드립니다. > >제가 참고한 논문은 >Determination of the Si-SiO2 Barrier Height from the Fowler Nordheim Plot >p.Olive, J Sune and Bruno Ricco IEEE > >Improvement of the current voltage characteristics of a tunneling dielectric by >adopting a Si3N4/SiO2/SiN4 multilayer for flash memory application >Sun Hun Hong, Jae Hyuck Jang at el. APL >입니다.
    답변수정
    Fowler-Nordheim(F-N) 식은 F-N 터널링을 기술하는 식입니다. J = A*E^2*exp(-B/E) 형태로 주어집니다. 여기서 J는 전류밀도, E는 외부 전기장, A와 B는 상수입니다. A와 B 속에 주어진 상황, 예를 들어 schottky lowering, work function(질문글에서 barrier height에 해당) 등등의 상수들이 들어갑니다. F-N plot이란 위 식을 조금 변형해서 그린 것을 말합니다. 위 식에서 양변에 로그를 취하면 ln(J/E^2) = a/E + b 형태의 식을 얻게 되고 그러면 ln(J/E^2)과 1/E가 비례하는 관계가 됩니다. 따라서 x축에 1/E, y축에 ln(J/E^2)을 잡으면 직선이 되고 직선의 기울기를 통하여 F-N 특성을 파악할 수 있게 됩니다. F-N plot은 오래전부터 나온 식으로 관련 서적이나 논문은 쉽게 찾을 수 있습니다. 검색이 잘 안되면 “Fowler-Nordheim“ 또는 “cold emission“등의 검색어를 사용해 보세요. 먼저 Fowler-Nordheim 에 관한 기본 개념을 이해하신 뒤에, 보시고자 하는 상황에 대입하여 실제 F-N plot을 그려보시는 것이 좋을 것 같습니다. >안녕하세요. 반도체를 공부하고 있는 학생입니다. >공부를 하다가 F-N plot 이라는 난관에 봉착하였습니다. >논문도 찾아보고 책도 찾아보고 하고 있는데;; >관련 논문도 몇개 없고 >(있긴 있는데.. 저희 학교에서 검색이 불가능 하네요.) >너무 어렵습니다. > >F-N plot 을 구하는것이 목적인데요. >그러기 위해서는 Fox (oxide field) 를 구해야 한다는 것을 알았습니다. >그리고 effective mass 와 barrier heiht도 구해야 하고.. >관련 공식도 찾고 했는데... >계속 모순에 빠지는 것이.. >방정식에 변수가 하나 빠져 있는것 같습니다. > >혹시 알고 계신 고수님이 계시다면.. >조언좀 부탁드립니다. > >제가 참고한 논문은 >Determination of the Si-SiO2 Barrier Height from the Fowler Nordheim Plot >p.Olive, J Sune and Bruno Ricco IEEE > >Improvement of the current voltage characteristics of a tunneling dielectric by >adopting a Si3N4/SiO2/SiN4 multilayer for flash memory application >Sun Hun Hong, Jae Hyuck Jang at el. APL >입니다.
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