2008-08-07
org.kosen.entty.User@2c392cba
박승식(water3809)
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현재 Si 소자의 경우 일반적으로
Epi두께는 FT-IR, Oxide 두께는 Nanospec 장비를 이용하여 측정하고 있습니다.
4H-SiC기판을 이용한 SiC 소자의 경우
SiC Epi 두께 및 Oxidation후 Oxide 두께를 위의 두 장비로 측정할 수 있을런지요? Wide Band Gap 이기 때문에 문제가 생기지 않을까 해서 질문드립니다.
만약 측정이 되지 않는다면 측정할 수 있는 장비는 무었이 있는지 알고 싶습니다.
- SiC
- nanospec
- FT-IR
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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