2008-09-25
org.kosen.entty.User@3bb7ca20
양명(ymman)
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금속 target의 경우 플라즈마 형성 후 substrate에 금속 이온이 붙으면서
증착이 되는 걸로 알고 있습니다. ceramic target의 경우 어떻게 되는지
궁금합니다. 예로 SnO2 target을 사용했을 경우 초기에는 Sn 이온이 상대
적으로 많이 substrate에 impinge되어 Sn 상태로 존재하다가 시간이 지남
에 따라서 oxygen과 결합하여 sno2로 결정화되는 process가 맞는 것인지
잘 모르겠습니다.
이렇게 궁금한 이유는 SnO2를 짧게(수~수십초) deposition한 경우는 xps결
과 Sn에 가까운 binding E를 갖는 것으로 나왔으며 시간을 상대적으로 많
이 증착 했을 경우 SnO2에 가까운 binding E를 나타냈습니다.
혹시 세라믹 target의 sputtering 관련한 자료를 가지고 계시면 같이 부]
탁 좀 드리겠습니다. 고맙습니다.
- ceramic target
- sputtering
- mechanism
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답변 1
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답변
인정환님의 답변
2009-03-06- 0
>금속 target의 경우 플라즈마 형성 후 substrate에 금속 이온이 붙으면서 >>증착이 되는 걸로 알고 있습니다. ceramic target의 경우 어떻게 되는지 >>궁금합니다. 예로 SnO2 target을 사용했을 경우 초기에는 Sn 이온이 상대>>적으로 많이 substrate에 impinge되어 Sn 상태로 존재하다가 시간이 지남>>에 따라서 oxygen과 결합하여 sno2로 결정화되는 process가 맞는 것인지 >>잘 모르겠습니다.>>이렇게 궁금한 이유는 SnO2를 짧게(수~수십초) deposition한 경우는 xps결>>과 Sn에 가까운 binding E를 갖는 것으로 나왔으며 시간을 상대적으로 많>>이 증착 했을 경우 SnO2에 가까운 binding E를 나타냈습니다. >>혹시 세라믹 target의 sputtering 관련한 자료를 가지고 계시면 같이 부]>>탁 좀 드리겠습니다. 고맙습니다. sputtering 방법은 타겟에 이온을 충돌시켜 타겟의 원자를 튀어나오게하는 것입니다. 이 때 원자가 하나씩 나오는 것으로 알고 있습니다. 즉 SnOn 상태로 튀어나오는 것이아니라 Sn 따로 O 따로 튀어나옵니다. 그리고 이때 이온이 튀어나오지는 않습니다. 원자상태로 튀어나옵니다. 기판에 SnOn이 생기는 이유는 타겟에서 튀어나온 Sn과 O가 표면에서 다시 결합하기 때문입니다. 초기에 Sn에 가까운 박막은 증착초기에 O의 분압이 낮기 때문인 것으로 보입니다. 시간이 지나면서 타겟에서 튀어나온 O의 양이 많아지면서 분압이 커져서 SnO2로 바뀌는 것으로 보입니다. 정확한 mechanism은 자료를 참고해야 알 수 있을 것 같습니다. 학교 도서관 같은데 아마 sputtering에 대한 책이 있을 겁니다.