2008-10-27
org.kosen.entty.User@41b1b15c
이선화(tinyiris)
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반도체를 공부하는 학생입니다.
공부를 하다 궁금한점이 있어 이렇게 글을 올립니다.
첫번째 문제입니다.
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다이오드를 제작하기 위해 선확산 후 Nd=10^16(원자/cm^3)인 Si에피층으로
5x10^15(원자/cm^2)의 B원자가 도입되었다.
확산 계수를 3 x 10^12(cm/s)라고 가정한다.
60분 후의 접합깊이를 계산하라.
불순물 분포를 구성하고 접합 깊이를 표시하라.... 입니다.
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두번째는...
직접회로에서 저항기가 Nd=10^15(cm^-3)인 N형층 반도체에 B의 두단계 확산법에 의해 만들어진다.
측정된 접합 깊이는 2.5um(마이크로미터)이고, B의 표면농도는 5 X 10^18(cm^-3)이다.
확산영역의 사이드 저항을 구하고 1.2kΩ 저항기 크기를 결정하여라.... 입니다.
(단, 여기서 확산 영역의 최소폭은 0.5mil이다.)
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이 두문제 입니다... 제전공 과목이 아니라... 접근 방법 조차도 정확히 모르겠습니다.
많은 조언 부탁 드립니다.
- 반도체
- 직접회로
- 다이오드
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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