2009-02-17
org.kosen.entty.User@b7e5e43
강찬민(uggiking)
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안녕하세요 ^^;
새벽까지 공부와 실험으로 밤낮없이 열심히신 분들께 응원에 메세지를 보냅니다. ^^
현재 지금 제가 공부중인 Si (110)를 KOH를 사용하여 비등방성 식각하고 있습니다.
사이즈는 100 nm 이구요. 그런데 KOH wt% 가 증가하면 증가할수록 식각속도는 느려지고 표면의 거칠기정도도 낮아지는걸로 알고있고, 온도가 증가하면 증가할수록 식각속도는 빨라지고 낮으면 낮아질수록 느려지며 식각속도가 느려지기때문에 표면에서？ 거칠기도 낮아질거라 예상하고 실험을 하였습니다.
참고한 논문들보다 wt % 를 높인상태에서 식각하였고, 온도는 상온에서 실험을 진행하였기에 식각율 및 거칠기정도를 둘다 잡을수 있을거라 생각했습니다.(참고로 마스크로 사용된 막은 SiO2 입니다. SiO2 50 nm 박막이 마스크역활을 잘하는걸로 알고있습니다.)
문제는 식각률은 nm 사이즈로 나오긴하나 거칠기정도가 상당히 않좋을뿐더러 나노 사이즈로의 패턴을 만들기위해 식각을 하고자하는데 너무 터무니 없는 거칠기와 식각된 측면이 너무 각도조차도 안나오고있네요.(90도로 나오면 최고로 좋습니다.)
식각 속도가 아직도 빨라서 그런건지 .... 실험조건을 아예 잘못잡은건지를 잘 모르겠군요...
너무 답답한마음에 이렇게 글을 적어봅니다.
식각속도 및 식각율을 nm 사이즈로 컨트롤 하였다라는 논문이나 KOH wt% 와 DI 및 다른 용매를 사용하였을때의 etch profile 의 모습이 어떻게 변한다라는 논문을 갖고 계신분들 도움좀 부탁드립니다.
찾아본다고 논문이란 논문은 많이 찾아보았지만 제가 검색능력이 부족한지 .... nm 사이즈로의 식각속도를 조절하고 vertical 한 식각 profile 을만든 논문에 실험 방법 및 자세한 조건이 언급된 논문을 찾아보기가 힘드네요.
읽어주셔서 감사하구요.
논문 및 알고계신 노하우 부탁드립니다.
참고로 먼가 문제가 있다는것을 글로적기 힘드신분은 메일을 주셔도 좋구요 핸드폰으로 직접 연락을 주셔도 좋아요 ^^;
여기다 연락처를 적으면 안되는건지...
010 7474 7801
uggiking@hotmail.com
- etching
- wet etch rate
- KOH etch rate
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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