지식나눔

plasma etching과 reactive ion etching의 차이점

RIE (reactive ion etching) 장비를 사용해서 etching을 하려고 합니다. 사용하기 전에 원리나 사용법에 대해서 공부를 하려고 하는데, RIE와 plasma etching과는 다른 건가요? RIE도 plasma를 이용하는 것 같은데, 문헌들에 보면 둘의 공정조건이나 성격을 구별해서 사용하는 것 같아 질문드립니다.
  • plasma etching
  • reactive ion etching
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답변 1
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    황현두님의 답변

    Dry etching은 대부분 저압에서 EM field에 의해 형성되는 고밀도 plasma를 이용한 plasma etching을 이용하며, etching mechanism에 따라 chemical etching, physical etching, ion enhanced etching 등으로 나눌 수 있습니다. Chemical etching은 free radical에 의한 diffusion에 의해 spontaneous하게 일어나며, isotropic하고 selective합니다. Physical etching은 전극을 이용한 ion bombardment에 의해 이루어지고 때문에 anisotrpic하며 non-selective합니다. Ion enhanced etching은 neutral과 ion 이 함께 이용되며 ion energy가 chemical reaction을 일으키게 하거나, reaction product를 제거하는데 필요합니다. 또한, sidewall에 의한 ion deflection으로 인해 trenching이 발생할수도 있으며, ion sputtering에 의해 물리적인 mask erosion이 발생할 수 있습니다. 일반적으로 plasma etching이라고 하면, neutral과 radical에 의한 chemical etching과 ion bombardment(sputtering)에 의한 physcial etching이 모두 포함되며, 효율을 극대화시키기 위해 두 가지 방식을 함께 사용하는 경우가 많습니다. RIE는 ion sputtering에 의한 physical etching과 activated neutral을 이용한 chemical reaction의 enhancement를 함께 이용한 방법입니다. 앞서 말씀드린 Plasma etching 중 Ion enhanced etching mechanism이 RIE라고 볼 수 있으며, Plasma etching을 말할때 chemical etching만을 포함시키는 사람들은 RIE와 Plasma etching을 각각 anisotropic, isotrpic하다고 명확하게 구분하기도 합니다. 그러나 단순히 원리나 의미상으로는 Plasma etching에 RIE를 포함시킬수 있다고 생각합니다. >RIE (reactive ion etching) 장비를 사용해서 etching을 하려고 합니다. >사용하기 전에 원리나 사용법에 대해서 공부를 하려고 하는데, RIE와 plasma etching과는 다른 건가요? >RIE도 plasma를 이용하는 것 같은데, 문헌들에 보면 둘의 공정조건이나 성격을 구별해서 사용하는 것 같아 질문드립니다.
    Dry etching은 대부분 저압에서 EM field에 의해 형성되는 고밀도 plasma를 이용한 plasma etching을 이용하며, etching mechanism에 따라 chemical etching, physical etching, ion enhanced etching 등으로 나눌 수 있습니다. Chemical etching은 free radical에 의한 diffusion에 의해 spontaneous하게 일어나며, isotropic하고 selective합니다. Physical etching은 전극을 이용한 ion bombardment에 의해 이루어지고 때문에 anisotrpic하며 non-selective합니다. Ion enhanced etching은 neutral과 ion 이 함께 이용되며 ion energy가 chemical reaction을 일으키게 하거나, reaction product를 제거하는데 필요합니다. 또한, sidewall에 의한 ion deflection으로 인해 trenching이 발생할수도 있으며, ion sputtering에 의해 물리적인 mask erosion이 발생할 수 있습니다. 일반적으로 plasma etching이라고 하면, neutral과 radical에 의한 chemical etching과 ion bombardment(sputtering)에 의한 physcial etching이 모두 포함되며, 효율을 극대화시키기 위해 두 가지 방식을 함께 사용하는 경우가 많습니다. RIE는 ion sputtering에 의한 physical etching과 activated neutral을 이용한 chemical reaction의 enhancement를 함께 이용한 방법입니다. 앞서 말씀드린 Plasma etching 중 Ion enhanced etching mechanism이 RIE라고 볼 수 있으며, Plasma etching을 말할때 chemical etching만을 포함시키는 사람들은 RIE와 Plasma etching을 각각 anisotropic, isotrpic하다고 명확하게 구분하기도 합니다. 그러나 단순히 원리나 의미상으로는 Plasma etching에 RIE를 포함시킬수 있다고 생각합니다. >RIE (reactive ion etching) 장비를 사용해서 etching을 하려고 합니다. >사용하기 전에 원리나 사용법에 대해서 공부를 하려고 하는데, RIE와 plasma etching과는 다른 건가요? >RIE도 plasma를 이용하는 것 같은데, 문헌들에 보면 둘의 공정조건이나 성격을 구별해서 사용하는 것 같아 질문드립니다.
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