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지식나눔

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ZnO에 대해 문의 드립니다

2009-03-17 org.kosen.entty.User@3cdf7528 박재경(espjk)
  • 2
제가 현재 TFT 소자의 active layer 로서 ZnO물질을 연구하고 있습니다. RF sputtering으로 ZnO를 증착하고 있는데 power와 gas 비율을 바꿔봐도 계속해서 insulator특성이 나옵니다. (at room temperature) 비저항을 측정하면 측정 범위를 넘어서서 측정할 수가 없구요. 도핑을 하지 않고 ZnO의 비저항 값을 낮출 수 있는 방법이 있는지 문의 드리고 싶습니다. 관련 자료나 논문이 있다면 보내주세요. 부탁드립니다.
  • ZnO
  • sputtering
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답변 2
  • 답변

    안길홍님의 답변

    2009-03-17
    • 0

    첨부파일

    ZnO물질은 저항이 높기 때문에 Indium을 혼합하여 IZO로 많이 사용하고 있습니다. 참고자료를 첨부하니 검토하시어 적절한 방법을 찾으시기 바랍니다.
    답변수정
    ZnO물질은 저항이 높기 때문에 Indium을 혼합하여 IZO로 많이 사용하고 있습니다. 참고자료를 첨부하니 검토하시어 적절한 방법을 찾으시기 바랍니다.
    등록된 댓글이 없습니다.
  • 답변

    이상후님의 답변

    2010-01-30
    • 0
    >제가 현재 TFT 소자의 active layer 로서 ZnO물질을 연구하고 있습니다. > >RF sputtering으로 ZnO를 증착하고 있는데 power와 gas 비율을 바꿔봐도 계속해서 > >insulator특성이 나옵니다. (at room temperature) > >비저항을 측정하면 측정 범위를 넘어서서 측정할 수가 없구요. > >도핑을 하지 않고 ZnO의 비저항 값을 낮출 수 있는 방법이 있는지 문의 드리고 싶습니다. > >관련 자료나 논문이 있다면 보내주세요. > >부탁드립니다. 증착변수의 변화 및 후열처리에 의해 ZnO 박막의 전기비저항은 크게 영향을 받는데, 기판온도와 rf 전력이 감소할수록, 산소분압이 증가할수록 비저항이 증가하고, 400℃로 열처리한 박막은 열처리전에 비해 비저항이 증가한 반면에 500℃ 열처리후에는 박막의 비저항이 감소한다는 보고가 있습니다.
    답변수정
    >제가 현재 TFT 소자의 active layer 로서 ZnO물질을 연구하고 있습니다. > >RF sputtering으로 ZnO를 증착하고 있는데 power와 gas 비율을 바꿔봐도 계속해서 > >insulator특성이 나옵니다. (at room temperature) > >비저항을 측정하면 측정 범위를 넘어서서 측정할 수가 없구요. > >도핑을 하지 않고 ZnO의 비저항 값을 낮출 수 있는 방법이 있는지 문의 드리고 싶습니다. > >관련 자료나 논문이 있다면 보내주세요. > >부탁드립니다. 증착변수의 변화 및 후열처리에 의해 ZnO 박막의 전기비저항은 크게 영향을 받는데, 기판온도와 rf 전력이 감소할수록, 산소분압이 증가할수록 비저항이 증가하고, 400℃로 열처리한 박막은 열처리전에 비해 비저항이 증가한 반면에 500℃ 열처리후에는 박막의 비저항이 감소한다는 보고가 있습니다.
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