2009-04-22
org.kosen.entty.User@719aad95
정종국(zzang036)
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안녕하십니까.
산화물 반도체 관련 연구에 대한 질문에 도움을 받고자 이렇게 글을 올립니다.
현재 AC스퍼터링법을 이용한 산화물IGZO박막 관련 실험을 진행하고 있습니다.
DC->AC전원 개조를 통해 양산가능한 산화물 연구를 진행중입니다.
성막 Rate가 일반적으로 산소분압에 의해 Rate 떨어지면서, Voltage가 증가하는 현상 일반적이라고 생각하고 실험을 진행했습니다만,
결과과 DC결과와 다르게 반대의 결과가 나왔습니다. 산소분압이 0.02->0.28까지 변화를 주어 실험한 결과 Rate 증가와 Voltage가 감소하는 경향이 보이고 있습니다.
추정원인으로 산소분압에 대한 Gas Line 검토와, 산소를 기존의 DC와 다르게 두배 이상 변화를 준 결과 Po2: 0.28->0.46 Point 구간에서 약간의 Volate 증가 현상을 보였습니다
현상에 대한 의견, 현상원인 에 대해서 듣고 싶습니다.
두서 없이 작성된 글입니다만, 검토 부탁드립니다.
- IGZO
- 스퍼터링
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 1
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답변
오상현님의 답변
2009-06-05- 0
>안녕하십니까. > >산화물 반도체 관련 연구에 대한 질문에 도움을 받고자 이렇게 글을 올립니다. > >현재 AC스퍼터링법을 이용한 산화물IGZO박막 관련 실험을 진행하고 있습니다. > >DC->AC전원 개조를 통해 양산가능한 산화물 연구를 진행중입니다. > >성막 Rate가 일반적으로 산소분압에 의해 Rate 떨어지면서, Voltage가 증가하는 현상 일반적이라고 생각하고 실험을 진행했습니다만, > >결과과 DC결과와 다르게 반대의 결과가 나왔습니다. 산소분압이 0.02->0.28까지 변화를 주어 실험한 결과 Rate 증가와 Voltage가 감소하는 경향이 보이고 있습니다. > >추정원인으로 산소분압에 대한 Gas Line 검토와, 산소를 기존의 DC와 다르게 두배 이상 변화를 준 결과 Po2: 0.28->0.46 Point 구간에서 약간의 Volate 증가 현상을 보였습니다 > >현상에 대한 의견, 현상원인 에 대해서 듣고 싶습니다. > >두서 없이 작성된 글입니다만, 검토 부탁드립니다. 상기의 건에 대하여, 개인적인 생각을 간단히 몇자 적어보려합니다. 1. 우선, "일반적으로 O2분압이 증가하면, Depo Rate가 감소하며, Voltage상승한다"고 하셨는데요.... -> O2량을 얼마나 Splite하였는지는, 모르겠지만, IGZO타겟을 사용하여 실험을 하셨다면, 공간반응에 의해 Depo Rate와 Voltage는 크게 변하지 않을 거라 생각합니다. 물론 챔버Size에 따라 다르기는 하겠지만요. 물론, 예를 들어 Si Target에 N2를 넣어 표면반응을 하는 Sputtering을 하는 방식이라면 Depo Rate와 Voltage가 크게 변하겠지만요. 2. 두번째로, DC와 AC전원의 차이에 의해서, O2량의 증가에 따라, Voltage가 증가와 감소의 특성을 보인다고 하셨는데, 이 점 또한 잘 이해되지 않습니다. 기본적으로는 Voltage는 DC전원에비해서 낮다고 알고있는데, 그러한 차이에 의한 것이 아닌지 생각합니다. 추가해서 말씀드리면, DC는 AC보다 기본적으로 Anode의 면적이 작기 때문에,GLS에 증착될 때 Unifomity가 안좋다고 알고 있습니다. 두께 측정에서 Point가 틀어지지 않았나 하는 생각이 좀 들기는 하네요. 이상, 허접한 답변이였습니다.