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지식나눔

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기판 온도에 따른 엘립소미터 측정결과 변화

2009-05-18 org.kosen.entty.User@4eafdfa6 이근우(kkeun8722)
  • 1
엘립소미터 측정시 기판 온도가 측정결과에 영향을 미치는지요. Si Wafer 위에 SiO2 증착 후 해당장비에서 unloading 시 기판 온도는 대충 약 100~150도 사이가 됩니다. unloading 후 엘립소미터로 ex-situ로 바로 측정 할 경우 측정 결과 즉 두께나 굴절율 값에 영향을 미치는지 궁금합니다. 수고하세요
  • ellipsometer
  • temperautre
  • sio2
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답변 1
  • 답변

    유영재님의 답변

    2009-06-30
    • 0
    >엘립소미터 측정시 기판 온도가 측정결과에 영향을 미치는지요. > >Si Wafer 위에 SiO2 증착 후 해당장비에서 unloading 시 기판 온도는 > >대충 약 100~150도 사이가 됩니다. > >unloading 후 엘립소미터로 ex-situ로 바로 측정 할 경우 측정 결과 즉 두께나 굴절율 > >값에 영향을 미치는지 궁금합니다. 기판온도에 의해서는 측정값에 큰 유의차가 없습니다. 굴절률 값에는 영향을 미치는 걸로 알고 있습니다. > >수고하세요
    답변수정
    >엘립소미터 측정시 기판 온도가 측정결과에 영향을 미치는지요. > >Si Wafer 위에 SiO2 증착 후 해당장비에서 unloading 시 기판 온도는 > >대충 약 100~150도 사이가 됩니다. > >unloading 후 엘립소미터로 ex-situ로 바로 측정 할 경우 측정 결과 즉 두께나 굴절율 > >값에 영향을 미치는지 궁금합니다. 기판온도에 의해서는 측정값에 큰 유의차가 없습니다. 굴절률 값에는 영향을 미치는 걸로 알고 있습니다. > >수고하세요
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