2009-06-03
org.kosen.entty.User@7183ff89
이재민(jau78)
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안녕하세요? 유기트랜지스터 (orgaic transistor) 관련 실험을 하면서 의문이 있으서 질물을 올립니다.
일반적으로 유기트랜지스터 소자를 만들때, 흔히 말하는 저저항 웨이퍼 (heavily doped wafer)에 300 nm 의 열산화막 (thermally grwon oxide) 이 있는 것을 기판, 게이트 전극 및 절연막으로 사용합니다.
SiO2/Si 위에 적당한 유기물(반도체 채널)과 source/drain 전극을 얹어서 실험실 수준의 트랜지스터를 만드는데요,
이 때, heavily doped wafer 가 common gate 전극으로 쓰입니다.
어차피 전기적 특성을 측정하기 위해서는 SiO2 를 지나 Si 와 probe 가 연결이 되어야 하는데,
저희는 현재, 웨이퍼의 뒷면을 유리칼로 막 긁고 나서, silver paste (dotite) 를 바르고 알루미늄 호일을 붙여서 잠시 놓아둔 후에 그 알루미늄 호일을 probe 로 찍고 특성을 측정합니다. (아래오 같은 구조입니다)
SiO2(앞면, polished)/Si/SiO2(유리칼로 긁음)/Ag paste (dotite)/Al foil <== probe로 contact
저저항 위이퍼니까 이렇게 contact 을 시킨다해도 별 문제가 안 되는 건가요?
아니면 (litho 공정으로) SiO2 일부를 HF로 완전히 etching 한 후, 그 쪽에 metal 을 증착하는 식으로 해서 써야지 제대로 된 전기적 특성을 알 수 있는 건가요?
계속 이런식으로 하고 있긴 한데, 웬지 유리칼로 막 긁고 contact 한다는게 좀 체계적이지 못한 것 같아서요...
관련 있으신 분들의 도움을 기다리겠습니다.
- wafer
- 웨이퍼
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답변 2
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답변
안길홍님의 답변
2009-06-04- 0
전기적 특성을 알기위하여서 지금하고 있는 방법으로 하여도 됩니다. 큰 오차는 없습니다. -
답변
이상후님의 답변
2010-01-28- 0
>안녕하세요? 유기트랜지스터 (orgaic transistor) 관련 실험을 하면서 의문이 있으서 질물을 올립니다. > >일반적으로 유기트랜지스터 소자를 만들때, 흔히 말하는 저저항 웨이퍼 (heavily doped wafer)에 300 nm 의 열산화막 (thermally grwon oxide) 이 있는 것을 기판, 게이트 전극 및 절연막으로 사용합니다. > >SiO2/Si 위에 적당한 유기물(반도체 채널)과 source/drain 전극을 얹어서 실험실 수준의 트랜지스터를 만드는데요, > >이 때, heavily doped wafer 가 common gate 전극으로 쓰입니다. > >어차피 전기적 특성을 측정하기 위해서는 SiO2 를 지나 Si 와 probe 가 연결이 되어야 하는데, > >저희는 현재, 웨이퍼의 뒷면을 유리칼로 막 긁고 나서, silver paste (dotite) 를 바르고 알루미늄 호일을 붙여서 잠시 놓아둔 후에 그 알루미늄 호일을 probe 로 찍고 특성을 측정합니다. (아래오 같은 구조입니다) > >SiO2(앞면, polished)/Si/SiO2(유리칼로 긁음)/Ag paste (dotite)/Al foil <== probe로 contact > >저저항 위이퍼니까 이렇게 contact 을 시킨다해도 별 문제가 안 되는 건가요? > >아니면 (litho 공정으로) SiO2 일부를 HF로 완전히 etching 한 후, 그 쪽에 metal 을 증착하는 식으로 해서 써야지 제대로 된 전기적 특성을 알 수 있는 건가요? > >계속 이런식으로 하고 있긴 한데, 웬지 유리칼로 막 긁고 contact 한다는게 좀 체계적이지 못한 것 같아서요... > >관련 있으신 분들의 도움을 기다리겠습니다. > heavily doped wafer 의 전극으로의 사용시에, 관련된 내용을 첨부합니다. 참고하세요.