2009-06-08
org.kosen.entty.User@7192c1f6
안태영(smart3019)
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안녕하세요
LPCVD 로 Si3N4를 증착하려고 합니다.
제가 하려는 공정은 Si3N4를 증착 한 후에 wafer 부분을 다 식각하여
Si3N4만 남기려는 공정을 진행 하려 합니다.
이때 남은 Si3N4의 막의 특성이 상당히 중요한 부분입니다.
압력차이를 1bar정도 견딜 수 있게 제작 하려 합니다.
질문은 LPCVD를 할때, Low stress LPCVD 라는 것이 있는데,
이것은 잔류응력이 Si3N4 사이에 조금 남아있는 것으로 알고 있었습니다.
하지만 좀 더 자세한 Low Stress LPCVD와 보통 LPCVD공정을 하였을때
Si3N4막의 특성에 대해 알고 싶습니다.
기계적인 특성이 중요하므로 이부분에 대해서 알려 주시면 감사드리겠습니다.
좋은 하루 보내시고, 글 읽어 주셔서 감사합니다^^
- Si3N4
- membrane
- LPCVD
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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