2009-08-30
org.kosen.entty.User@22d90cf9
황영현(star1019)
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epi에서 vapor phase epitaxy와 deposition하는 CVD는 어떤 차이점이 있는건가요?
책으로만 공부를 하다보니 정확한 차이점을 캐치하기가 어렵네요;;
두 공정과정을 살펴보자면 gas flow에 따라서 반응이 일어나고 !#$@$^@ 하면서
거의 비슷하던데.. (마지막에 sub에서의 반응의 차이점을 정확히는 모르겠습니다.)
kosen에서 어떠한 분의 답변을 살펴보자면 growth와 deposition의 차이라고 하는데..
증착을 하더라도 sub의 차이로 인해서 단결정이 된다거나 어느정도 sub의 결정방향에 따라
증착이 되지는 않나요?
두가지 모두 박막을 시키기 위한 공정이지만 전기적인 퀄리티를 위해서는 epi가 좋은건가요??
아직 부족함이 많은 학생입니다. 짧더라도 괜찮으니 도움주시면 감사하겠습니다.
- epitaxy
- VPE
- CVD
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 1
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답변
이재덕님의 답변
2009-09-03- 0
예전에는 CVD는 단순한 증착(deposition)으로 단결정이 아닌 경우 였고, VPE는 단결정을 성장하는 방법(epitaxy)으로 구분이 되었습니다. 그러나, 말씀하신것처럼, 단결정 기판을 넣으면 CVD법으로 단결정을 얻을 수 가 있게 되는거지요. 요즘에는 특별한 구분 없이 쓰고 있으나, 실리콘에서 질화실리콘과 같은 비정질이나 폴리를 성장할 경우, CVD로 통칭합니다. 두꺼운 단결정GaN를 얻기위해 사용하는 방법으로 VPE를 씁니다. 보통 앞에 원료물질을 붙여서 Hydride (예를 들면 Cl)VPE, metalorganic (MO)VPE 또는 MOCVD라고 합니다. 일반적으로 균질하고 재현성있는 전기적 특성을 얻기 위해 단결정을 성장하나, 어떤 전기적 성질을 원하냐에 따라 비정질이나 다결정을 성장할 경우도 많이 있습니다. 에피를 만들면 재료도 많이 절약되고, 공정이 용이하다는 점, 교과서에서 보듯이 새로운 물리적 특성을 이용할 수 있는등 많은 장점이 있습니다. >epi에서 vapor phase epitaxy와 deposition하는 CVD는 어떤 차이점이 있는건가요? > >책으로만 공부를 하다보니 정확한 차이점을 캐치하기가 어렵네요;; > >두 공정과정을 살펴보자면 gas flow에 따라서 반응이 일어나고 !#$@$^@ 하면서 > >거의 비슷하던데.. (마지막에 sub에서의 반응의 차이점을 정확히는 모르겠습니다.) > >kosen에서 어떠한 분의 답변을 살펴보자면 growth와 deposition의 차이라고 하는데.. > >증착을 하더라도 sub의 차이로 인해서 단결정이 된다거나 어느정도 sub의 결정방향에 따라 >증착이 되지는 않나요? > >두가지 모두 박막을 시키기 위한 공정이지만 전기적인 퀄리티를 위해서는 epi가 좋은건가요?? > >아직 부족함이 많은 학생입니다. 짧더라도 괜찮으니 도움주시면 감사하겠습니다. >
확인후 정신이 없어서 감사하다는 말을 못드렸었네요. 정말 많은 도움 되었습니다. 감사합니다.