2009-09-21
org.kosen.entty.User@3ac4b65c
김경현(scomman)
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si의 경우 많은 자료로 wet process가 공개되어있는데요
화합물 반도체의경우 이런조건이 많지 않은거같습니다.
gaas 표면 클리닝 방법으로 실리콘에서 rca를 사용하나요??
rca공정에서보면 온도를 80도 이런식으로 올리던데 이렇게되면 웨이퍼에는 문제가 안생기나요??
혹시 화합물반도체의 에칭방법이나 전반적인 공정에관한 책이 없나 궁금합니다.
- 화합물
- 에칭
- wet 공정
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답변 1
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답변
윤슬기님의 답변
2009-09-21- 0
80도에서 RCA cleaning 한다고 wafer에 문제가 생길 염려는 없는거 같구요 보통 RCA는 그냥 표면에 organic residue들 이나 metal contaminant들 제거할려고 하는 거니까요 대신 piranha 나 HF 처리하는 경우는 웨이퍼 표면에서 실제로 destructive한 반응이 일어나는 거라서 표면 roughness들의 그런 것들이 생길 수 있어요. 화합물 반도체 에칭 방법에 관한 책은요..제목이 Microfabrication이란 책이 있는데요 저자는 누군지 모르겠네요..검색해 보심이 이책 한 챕터에 ？ 에칭이랑 드라이에칭 에 관한 기본적인 내용들 잘 나와있어요. 글구 ？에칭은 일단 인터넷으로 검색해봐도 많이 자료들이 있어요.
감사합니다.