2009-12-01
org.kosen.entty.User@49dc64f2
김경현(scomman)
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안녕하세요 질문이 있어 이렇게 글을 씁니다.
보통 GaAs의 경우 ohmic contact을 위해 TiPtAu를 주로 사용하는것으로 알고 있습니다.
여기서 Ti는 실리사이드 역할을 하여 메탈과 반도체간의 adhesion을 좋게하는것이고
Au는 저항이 작은것을 알고있습니다.
하지만 Pt의 역할을 잘 모르겠습니다.
만약 Ti Au만 사용한다면 ohmic이 이루어 지지 않는건가요??
답변 감사드립니다
안녕히 계세요
- TiPtAu
- GaAs
- Ohmic
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답변 1
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답변
심병로님의 답변
2009-12-16- 0
안녕하세요. 제 경험(전자소자 제작)에 비추어 말씀드리겠습니다. 말씀하신 바대로, Ti은 금속과 반도체 사이의 밀착성(adhesion)을 좋게 하기 위해 사용합니다. Pt의 경우는, 높은 장벽높이(0.98 eV)를 유도하여 금속과 반도체 사이의 장벽높이를 줄여줍니다. 단, 단점으로는 상대적으로 시트 저항(sheet resistance)이 높습니다. 따라서, Pt/Au와 같이 낮은 시트 저항을 가지는 금속을 사용하여 극복할 수 있는 것입니다. Pt의 경우는 GaAs와 250~300도 정도에서 고상(固相)반응을 일으켜, GaAs와 다층구조를 형성하여 안정화됩니다. 이 반응에 의해 쇼트키 접촉의 계면위치가 GaAs 중에 들어가는 것을 이용하여 FET의 Vt 제어가 가능해 집니다. Pt의 사용은 높은 장벽높이 및 고상반응을 이용하기 때문에 표면상태에 그다지 의존하지않고, 양호한 쇼트키 특성을 얻을 수가 있습니다. 따라서, Pt/Au의 사용은 낮은 시트 저항을 가지는 금속을 적어도 하나의 층으로 사용함으로써, 게이트 저항을 감소시키고, Pt가 가지는 상대적으로 높은 시트 저항에 대한 문제점을 없애기 위해서라고 하겠습니다. >안녕하세요 질문이 있어 이렇게 글을 씁니다. > > >보통 GaAs의 경우 ohmic contact을 위해 TiPtAu를 주로 사용하는것으로 알고 있습니다. > >여기서 Ti는 실리사이드 역할을 하여 메탈과 반도체간의 adhesion을 좋게하는것이고 > >Au는 저항이 작은것을 알고있습니다. > >하지만 Pt의 역할을 잘 모르겠습니다. > > >만약 Ti Au만 사용한다면 ohmic이 이루어 지지 않는건가요?? > >답변 감사드립니다 > >안녕히 계세요