2009-12-29
org.kosen.entty.User@5624122a
박지봉(streetpjb)
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Si와 SiO2 이차전자방출계수를 알고싶습니다.
그리고 이차전자방출에 대해 좀 더 자세히 알고 싶습니다.
- 이차전자
- si
- secondary
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 3
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답변
안길홍님의 답변
2010-01-04- 2
2차 전자 방출계수는 E/p의 함수로써 실험변수에 따라 변화하는 계수입니다. 첨부 자료를 참고바랍니다. -
답변
DELETED님의 답변
2010-01-02- 0
이 링크를 참조해 보심이 좋을것 같습니다. 많은 도움 드리지 못하여 죄송합니다.. -
답변
이상후님의 답변
2010-01-21- 0
>Si와 SiO2 이차전자방출계수를 알고싶습니다. > >그리고 이차전자방출에 대해 좀 더 자세히 알고 싶습니다. 열산화시킨 SiO₂ 박막의 두께와 입사 전류의 양에 따라 이차전자 방출 계수를 측정하는데, 930℃에서 열산화시킨 SiO₂ 박막 두께는 5.8㎚, 19㎚, 43㎚, 79㎚, 95㎚, 114㎚였으며 이들의 이차전자의 방출 특성이 박막 두께와 전류량에 따라 변화합니다. 박막 두께 43㎚ 이하의 얇은 박막에서는 대체적으로 universal curve의 형태를 따르지만 79㎚ 이상의 두꺼운 박막에서는 이차전자 방출곡선이 최고점이 2개인 형태로 변하며 그 값도 전반적으로 낮아집니다. 또 입사시키는 일차전자 전류의 증가에 대해서도 이차전자 방출곡선이 전체적으로 낮아집니다. 최대 이차전자 방출 계수는 박막 두께 19㎚, 일차 전자 에너지 300eV, 일차 전류 0.97㎂일 때 3.35를 갖습니다.