2010-01-20
org.kosen.entty.User@9eade61
이근우(kkeun8722)
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고수님들께 여쭙니다.
SiC Susceptor에 증착된 SiO2를 제거 하기 위하여, Ar + NF3 Plasma(remote, F
radical )를 진행 중 완전히 제거 하지 못한 상태의 경우,
SiC에 증착된 SiO2가 SiOF가 되나요?
만약 SiOF 형성 후 Ar ion(remote)를 진행할 경우, O or F 가 떨어져 나올시 어느
element가 먼저 떨어져 나올까요?
위 두사항에 대한 답변 부탁드립니다. 논문이나 관련 사이트 참조도 부탁드립니다.
- sio2
- F radical
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 2
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답변
안길홍님의 답변
2010-01-20- 4
SiO2 기판에 F를 doping하고자 하는 것으로 알겠습니다. 이때 plasma강도가 너무 높으면 ion bombardment에 의하여 기판에 손상이 올수도 있습니다. 사용하는 gas의 F는 CH3F,C4F6,C4F8 또는 CH2F중에서 하나를 사용하면 되겠으며,assisted blowing gas는 Ar에 수소가 들어있는 NH3 또는 CH4를 같이 사용하면 되겠습니다(NH3가 바람직함). 그리고 첨부 자료를 검토하시어 실제 적용에 맞도록 조정하시기 바랍니다. -
답변
이상후님의 답변
2010-01-21- 3
>고수님들께 여쭙니다. > >SiC Susceptor에 증착된 SiO2를 제거 하기 위하여, Ar + NF3 Plasma(remote, F > >radical )를 진행 중 완전히 제거 하지 못한 상태의 경우, > >SiC에 증착된 SiO2가 SiOF가 되나요? > >만약 SiOF 형성 후 Ar ion(remote)를 진행할 경우, O or F 가 떨어져 나올시 어느 > >element가 먼저 떨어져 나올까요? > >위 두사항에 대한 답변 부탁드립니다. 논문이나 관련 사이트 참조도 부탁드립니다. > > F radical의 반응성으로 인하여, SiO2가 SiC의 기질상에 형성되며 결국 SiOF가 충분히 형성될 수 있습니다. 그리고, Si-O와 Si-F가 모두 형성될 수 있는데, O나 F가 해리되는 것은 bonding energy의 차이로 여겨집니다. 즉, Si-O의 bonding energy는 110이고, Si-F의 bonding energy는 135이므로 이상적으로는 Si-O가 먼저 해리되어질 것으로 생각됩니다. 참고할 사이트는 링크합니다. 확인하세요.