2010-01-20
org.kosen.entty.User@1054839f
이근우(kkeun8722)
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고수님들께 여쭙니다.
SiC Susceptor에 증착된 SiO2를 제거 하기 위하여, Ar + NF3 Plasma(remote, F
radical )를 진행 중 완전히 제거 하지 못한 상태의 경우,
SiC에 증착된 SiO2가 SiOF가 되나요?
만약 SiOF 형성 후 Ar ion(remote)를 진행할 경우, O or F 가 떨어져 나올시 어느
element가 먼저 떨어져 나올까요?
위 두사항에 대한 답변 부탁드립니다. 논문이나 관련 사이트 참조도 부탁드립니다.
- sio2
- nf3
- ar
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 2
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답변
이상후님의 답변
2010-01-21- 3
>고수님들께 여쭙니다. > >SiC Susceptor에 증착된 SiO2를 제거 하기 위하여, Ar + NF3 Plasma(remote, F > >radical )를 진행 중 완전히 제거 하지 못한 상태의 경우, > >SiC에 증착된 SiO2가 SiOF가 되나요? > >만약 SiOF 형성 후 Ar ion(remote)를 진행할 경우, O or F 가 떨어져 나올시 어느 > >element가 먼저 떨어져 나올까요? > >위 두사항에 대한 답변 부탁드립니다. 논문이나 관련 사이트 참조도 부탁드립니다. > 아래에서 답변한것으로 생각되는데, F radical의 반응성으로 인하여, SiO2가 SiC의 기질상에 형성되며 결국 SiOF가 충분히 형성될 수 있습니다. 그리고, Si-O와 Si-F가 모두 형성될 수 있는데, O나 F가 해리되는 것은 bonding energy의 차이로 여겨집니다. 즉, Si-O의 bonding energy는 110이고, Si-F의 bonding energy는 135이므로 이상적으로는 Si-O가 먼저 해리되어질 것으로 생각됩니다. 참고할 사이트는 링크합니다. 확인하세요. 관련 내용 첨부파일 참고하세요. -
답변
안길홍님의 답변
2010-01-21- 2
Si에 O-F가 부착되어 있을 경우 이를 식각하게 되면 electronegative를 고려하는 것이 기본입니다. 첨부 자료와 같이 O의 electronegative 는 3.65eV이고 F의 electronegative는 4.00eV입니다. 즉 전자 친화력이 높은 F에 먼저 전자부착이 이루어져 떨어져 나오게 됩니다. Si-O-F구조의 박막을 plasma에 의하여 만들게 될 경우 F의 투입량이 과다하면 일부 과잉 F가 Si와 직접 반응하여 Si-F구조로 되는 경우가 있으나 이는 소량에 불과합니다. (첨부 참고자료는 일반적인 사항에 대하여 언급되어 있는 자료로써 앞으로 참고가 될 것 같아서 첨부합니다)