2010-01-28
org.kosen.entty.User@4c5c8992
양승국(kailo2000)
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안녕하세요? 궁금한게 있어서 여쭤봅니다.
Source는 CCP방식입니다. 13.56MHz로 구동되고 matcher 단에서 low pass filter를 통해 나오는 Vdc 값을 모니터링합니다.
그런데 Source 전극에 anodizing처리를 했는데 품질이 좋지 못한 anodizing의 경우에는 Vdc 값이 "-"로 뜨는데 고품질 anodizing의 경우에는 "+"값을 띕니다.
고품질의 경우에는 CCP 소스면에서 완전히 floating되어서 그러는것 같은데
정확한 메카니즘을 이해할 수 없어서 문의드립니다.
왜 "+"값을 나타내는지에 대해 설명해 주실수 있는지요?
플라즈마 방전은 저품질이나 고품질 모두 이상없이 뜹니다.
- 플라즈마
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답변 1
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답변
안길홍님의 답변
2010-01-29- 0
CCP방식으로 첨부한 자료와 거의 비슷할 것으로 생각합니다. 탐침(probe)에 의하여 측정되는 값이 (+)(-)로 anodizing된 상태에 따라 변동된다는 내용 같은데,표면상태의 품질에 따라 차이가 날 수 있습니다. Plasma에서 생각하여야 할 점은 ion theath와 electron theath(차폐) 및 debye's shielding distance입니다. ion theath상태일 때는 E<0이므로 (E=d/V) probe에서는 (-)로 읽게 됩니다. 즉 전자가 충분히 뻗어나가지 못하는 상태로써 전자가 차폐되어 있는 상태라고 할 수 있습니다. electron theath상태일 때는 E>0이므로 probe는 (+)읽게 됩니다.이는 역으로 이온이 충분히 뻗어 나가지 못하는 상태가 되겠습니다. 어떤 상태일 때가 좋은지 모르겠으나(ion이 많을 때,또는 전자가 많을 때)이를 조정하려면 첨부 그림의 간격d를 조정하면 가능하게 될 것입니다. 적용에는 하등의 문제가 없다고 하니 그대로 사용하시면 되겠습니다. (이온과 전자가 동등할 경우 E=0으로 됨)
답변 감사드립니다.