2010-04-01
org.kosen.entty.User@31301b1
하걸욱(h2c3n10)
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안녕하세요 고수님들
800C에서 only Cl2 gas로 dry etch하려 합니다.
이때 이 온도에서 Cl2에 etch가 거의 안되는 물질이 있으면 알려주십시요.
단 이 물질은 가공이 가능하고 가격이 상대적으로 낮으면 좋겠습니다.
후보 물질로는 SiC, Al2O3, Si3N4, ZrO2 등등이 생각이 되는데요.
etch rate 순서, 가격 순서, 가공성순서 등을 표시해 주시면 더 좋겠습니다.
혹 더 좋은 재료가 있으시면 추천해 주셔도 되고요.
답변 부탁드리겠습니다.
- Cl2
- etch
- SiC
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답변 1
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답변
양승국님의 답변
2010-04-09- 0
온도가 높아서 그다지 높은 선택비를 얻기는 힘들것으로 생각됩니다. 특히 SiC는 가격이 비싸고 가공이 힘들어서 어떠한 공정에 쓸것인지는 모르겠지만 유용하지는 못할 것으로 보이며, 아무래도 carbon contamination의 가능성도 있어서 비추입니다. 또 다른 Al2O3나 Si3N4등은 공정이 가능하기는 하지만 일단 고온이라서 선택비가 좋지는 못할 겁니다. 특히 High-k 재료들의 식각 장비로 척을 heating하는 방식이 사용되기 때문에 더욱 선택비가 나쁠것으로 예상됩니다. 어떠한 재료를 식각하는지는 모르겠지만, 그래도 식각이 않되는 재료는 high-k dielectrics(HfO2, Zr-silicate, ZrO2, Al2O3....... .)재료들이므로 실제 melting point나 boiling point등을 다 고려해 보면서 선정하시는게 좋을것 같습니다. 끝으로 마스크 재료로 얼마 만큼의 재료를 올리느냐를 언급하지 않으셨는데 그 두께에 따라서 가공성을 판별할 수 있을것 같습니다. 마스크재료들은 고품질막이 아니기 때문에 HfO2 경우는 Co-Spuuter로 막을 형성 할 수 있습니다. 끝으로 제가 궁금한것은 이 재료들을 공정에 사용한 후에 나중에 제거하지 않는다면 사용을 하셔도 무방하나 PR처럼 완전히 제거하려고 하신다면 추천하고 싶지는 않습니다. 그럼 수고하세요. >안녕하세요 고수님들 > >800C에서 only Cl2 gas로 dry etch하려 합니다. >이때 이 온도에서 Cl2에 etch가 거의 안되는 물질이 있으면 알려주십시요. >단 이 물질은 가공이 가능하고 가격이 상대적으로 낮으면 좋겠습니다. > >후보 물질로는 SiC, Al2O3, Si3N4, ZrO2 등등이 생각이 되는데요. >etch rate 순서, 가격 순서, 가공성순서 등을 표시해 주시면 더 좋겠습니다. >혹 더 좋은 재료가 있으시면 추천해 주셔도 되고요. > >답변 부탁드리겠습니다. >