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산화막이 안쪽에 생기는 원리를 알고 싶습니다.

금속과 물질의 접촉면에 산화막이 생기는 사례를 알고 싶습니다. 공기중에 노출된 금속표면이야 당연한 이야기인데.. 금속과 특정물질의 접촉면에서 가열을 해주면 그 쪽에서 산화막이 생긴다는 소리를 들어서요
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    민우식님의 답변

    >금속과 물질의 접촉면에 산화막이 생기는 사례를 알고 싶습니다.>공기중에 노출된 금속표면이야 당연한 이야기인데.. 금속과 특정물질의 접촉면에서 가열을 해주면 그 쪽에서 산화막이 생긴다는 소리를 들어서요 한가지 사례가 기억나서 답변합니다. 반도체 구리배선구조에서 Cu가 이용되기도 하며 Ta이 barrier metal로 사용됩니다. barrier test구조로 Cu/Ta/SiO2/Si(substrate:Si wafer)와 같이 Si산화막 위에 Ta film과 Cu film을 증착한 후 진공/N2/Ar등의 산소 분압이 낮은 분위기에서 열처리할 경우(대기 중에서 열처리하면 Cu가 모두 쉽게 산화되어 Ta이 먼저 산화되는지 구분할 수 없습니다), Cu와 Ta계면에 산화물이 형성됩니다. Tatalum의 경우 oxygen과의 친화력이 매우 높기 때문에 Cu의 grain boundary를 따라 확산해서 Ta과 반응하는 것으로 알고 있습니다. 논문도 있었던 것으로 기억합니다.
    >금속과 물질의 접촉면에 산화막이 생기는 사례를 알고 싶습니다.>공기중에 노출된 금속표면이야 당연한 이야기인데.. 금속과 특정물질의 접촉면에서 가열을 해주면 그 쪽에서 산화막이 생긴다는 소리를 들어서요 한가지 사례가 기억나서 답변합니다. 반도체 구리배선구조에서 Cu가 이용되기도 하며 Ta이 barrier metal로 사용됩니다. barrier test구조로 Cu/Ta/SiO2/Si(substrate:Si wafer)와 같이 Si산화막 위에 Ta film과 Cu film을 증착한 후 진공/N2/Ar등의 산소 분압이 낮은 분위기에서 열처리할 경우(대기 중에서 열처리하면 Cu가 모두 쉽게 산화되어 Ta이 먼저 산화되는지 구분할 수 없습니다), Cu와 Ta계면에 산화물이 형성됩니다. Tatalum의 경우 oxygen과의 친화력이 매우 높기 때문에 Cu의 grain boundary를 따라 확산해서 Ta과 반응하는 것으로 알고 있습니다. 논문도 있었던 것으로 기억합니다.
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    안길홍님의 답변

    금속에 물질을 코팅하여 산소분위기에서 가열하게되면, 물질의 미세 기공을 통하여 산소가 금속면 까지 침투하여 들어가게 됩니다.침투한 산소에 의하여 금속면에 금속산화 박막이 형성되게되는데,이러한 결과에 의하여 형태의 구조가 Metal-Oxide insulator-Semiconductor와 같은 형태로 이루어 질 수 있습니다.이러한 사례는 아주 많이 일어납니다.
    금속에 물질을 코팅하여 산소분위기에서 가열하게되면, 물질의 미세 기공을 통하여 산소가 금속면 까지 침투하여 들어가게 됩니다.침투한 산소에 의하여 금속면에 금속산화 박막이 형성되게되는데,이러한 결과에 의하여 형태의 구조가 Metal-Oxide insulator-Semiconductor와 같은 형태로 이루어 질 수 있습니다.이러한 사례는 아주 많이 일어납니다.
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