2010-04-29
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권형준(kimkaphwan)
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금속과 물질의 접촉면에 산화막이 생기는 사례를 알고 싶습니다.
공기중에 노출된 금속표면이야 당연한 이야기인데.. 금속과 특정물질의 접촉면에서 가열을 해주면 그 쪽에서 산화막이 생긴다는 소리를 들어서요
- 산화막
- 반도체
- 계면
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답변 2
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답변
민우식님의 답변
2010-05-04- 2
>금속과 물질의 접촉면에 산화막이 생기는 사례를 알고 싶습니다.>공기중에 노출된 금속표면이야 당연한 이야기인데.. 금속과 특정물질의 접촉면에서 가열을 해주면 그 쪽에서 산화막이 생긴다는 소리를 들어서요 한가지 사례가 기억나서 답변합니다. 반도체 구리배선구조에서 Cu가 이용되기도 하며 Ta이 barrier metal로 사용됩니다. barrier test구조로 Cu/Ta/SiO2/Si(substrate:Si wafer)와 같이 Si산화막 위에 Ta film과 Cu film을 증착한 후 진공/N2/Ar등의 산소 분압이 낮은 분위기에서 열처리할 경우(대기 중에서 열처리하면 Cu가 모두 쉽게 산화되어 Ta이 먼저 산화되는지 구분할 수 없습니다), Cu와 Ta계면에 산화물이 형성됩니다. Tatalum의 경우 oxygen과의 친화력이 매우 높기 때문에 Cu의 grain boundary를 따라 확산해서 Ta과 반응하는 것으로 알고 있습니다. 논문도 있었던 것으로 기억합니다. -
답변
안길홍님의 답변
2010-05-05- 0
금속에 물질을 코팅하여 산소분위기에서 가열하게되면, 물질의 미세 기공을 통하여 산소가 금속면 까지 침투하여 들어가게 됩니다.침투한 산소에 의하여 금속면에 금속산화 박막이 형성되게되는데,이러한 결과에 의하여 형태의 구조가 Metal-Oxide insulator-Semiconductor와 같은 형태로 이루어 질 수 있습니다.이러한 사례는 아주 많이 일어납니다.