2010-12-27
org.kosen.entty.User@358bb46d
김정섭(liberty951)
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저는 현재 석사 4학기중인 학생입니다.
다름이 아니오라 태양전지를 공부하다가 산성용액에서의 등방성식각에 대한 자료를 보고 질문을 드리고자 합니다. 태양전지 공정중에 texturing등 표면에 빛이 들어올때 반사손실을 줄이기 위해 표면에 다양한 용액으로 wet eching을 한다는것을 알게 되었습니다. 그리고 다결정 Silicon 웨이퍼도 에칭이 된다는것을 알게 되었습니다. 저는 태양전지가 전공은 아니라서 수업을 듣고 공부만 하는 입장입니다. 그래서 수업에서 제가 실험하는 입장에서 무언가 얻고자 아이디어를 생각하게 되었습니다. 저는 이차전지 음극소재중 실리콘을 주로 연구하고 있습니다.
먼저 poly-crystalline Si wafer가 에칭이 되므로 파우더도 에칭이 될것이라고 생각됩니다. (파우더는 폴리크리스탈임으로)
이차전지의 음극소재로서 실리콘은 충전 방전과정에서 심한 부피팽창을 격게 됩니다. 그래서 저는 실리콘 파우더에 에칭을 통한 표면개질을 통하여 이차전지 음극소재로서의 성능을 개선하고자 합니다.결론은 HF+HNO3+H20를 사용하여 파우더를 에칭하여 표면 개질을 한뒤 전지로서의 성능을 보고자 합니다.
1) 파우더가 다음용액을 통해서 에칭이 되는지요?
2) 에칭이 된다면 HF 농도, 질산 농도에 따라서 파우더에 에칭속도는 어떻게 변화할것인가? (물의 양을 증가시킬수록 식각농도를 감소시킬수 있고 아세트산 용액을 통하여 질산의 분해 속도를 줄일수 있다고 합니다)
3) 파우더 에칭에 경험이 있으신분들의 조언을 구합니다.
Silicon wafer에는 쏟아질 정도의 정보가 있지만 파우더에칭에 관한 정보는 많이 없어서 질문 드립니다.
- Silicon
- Etching
지식의 출발은 질문, 모든 지식의 완성은 답변!
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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