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Si wafer 위에 oxidation이 형성 되잖아요.
그래서 HF로 oxidation을 제거를 하려고 합니다.
근데 제거하고 난 뒤 또 Si wafer에 oxidation이 형성이 되잖아요?
제거후에도 특별한 보관을 하지 않으면 바로 oxidation이 형성되기 시작하는건가요?
제거후 si wafer 위에 바로 PMMA Coating을 할건데요. 이게 oxidation 제거후 바로 coating을 하고 싶지만,
oxidation는 A실험실에서 한다면 Coating은 B실험실에서 해야되서 그동안 이동시간이 있으니까 그 사이에 혹시 oxidation이 형성이 되어 버린다면, 다시 고민을 해봐야 되는 부분이라서 그렇습니다.
아니면 관련된 논문이라도 있으시면...ㅠㅠ
- Spin Coater
- oxidation
- HF
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변
김강일님의 답변
2011-07-13- 2
Si wafer에 강제로 oxidation 공정을 하지 않았다면 자연 산화막이 형성되어 있을 겁니다 이건 말하신 대로 HF로 제거하시면 되고요 그리고 나서 그냥 놔두면 자연 산화막이 다시 형성이 되는데 말쓴하신것처럼 그렇게 이동하는 동안에 생기는 거는 무시하셔도 될거 같네요.이동 시간이 얼마나 되는지 모르겠지만 자연산화막은 일반적으로 형성되도 Si표면의 물리적 특성에는 영향을 안주거든요. 열산화 공정처럼 1000도 이상에서 수증기나 산소를 넣어주어야 산화막이 막 자라지 그냥 공기중에서 형성되는 자연산화막은 무시하셔도 될거 같네요
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답변
김강일님의 답변
2011-07-13- 2
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어디다 쓰실지는 모르겠지만 10분이면 상관 없습니다.
앞에서도 말했지만 산화막 만들때 1000도 이상에서 합니다.
상온에서 그렇게 쉽게 안생깁니다.
걱정마세요.
자연산화막이라도 해도 그 산화막이 절연체 역할을 하니 si wafer 표면특성을 변하지 않겠지만, 그래도 표면위에 절연체층이 하나 더 생기게 된것인데, 이게 영향을 미치지 않을까요?? 그리고 마지막에 공기중에서 형성되는 자연산화막을 무시해도 된다고 하셨는데요.그러면 결국 HF로 산화막을 제거하더라도 공기중에 노출이 되어 버린다면 그때 부터 자연산화막이 쌓이기 시작하는건가요? 그래서 제가 제일 궁금한 부분이 HF로 산화막 제거 후 다시 산화막층이 완벽하게 형성될때까지의 시간이 얼만큼 걸리는지가 제일 궁금했거든요.그리고 실험실 이동시간은 넉넉잡아 10분정도...됩니다;;; 근데 산화막이 좀 민감한 부분이라...이렇게 다시 한번 여쭈어 봅니다..;;;ㅠ