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안녕하세요. 산화물반도체를 공부중인 학생입니다.
Top Gate 구조의 IGZO TFT에서 500도 열처리 후 측정시
OFF Current level이 1E-13 에서 --> 1E-10 으로 상승했습니다.
원인분석을 어찌해야할지 모르겠어서 질문드립니다..답변부탁드립니다.
그리고 SEM 분석 결과 S/D으로 사용중인 ITO(1500)와 그 위 Mo(3000)의 계면이
열팽창에 의한것으로 예상되는 약간의 공백이 일부 발견되었습니다.
소자에 미치는 영향은 어떤것이 있을까요? 참고자료나 답변 부탁드립니다..
감사합니다.
박재형 올림.
- 산화물반도체
- IGZO
- Gate current
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변
한진우님의 답변
2011-10-19- 0
좀더 자세한 상황을 알면 더 좋은 답변을 할 수 있을 것 같습니다.
정황상 가능한 것을 설명드리면
1) ITO의 Indium 이나 Tin 이 열에 의해 IGZO로 확산해 들어가 Source와 Drain 사이의 절대적 거리가 줄들 경우.
2) 열처리에 의해 ITO와 IGZO의 Energy Band Offset 혹은 Schottky Barrier Height 이 낮아질 경우.
3) 게이트 절연막이나 게이트의 특정 원소가 IGZO로 스며들어 문턱전압이 낮아질 경우.
4) 게이트 절연막의 결정화되어 Leaky 한 절연막으로 바뀌게 되서 게이트에서 드레인으로 전류가 새어 들어오는 경우.
위 경우의 수를 염두하면서 원인을 좁혀나갈 수 있을것 같네요.
-------------------------------------질문-------------------------------------
안녕하세요. 산화물반도체를 공부중인 학생입니다.
Top Gate 구조의 IGZO TFT에서 500도 열처리 후 측정시
OFF Current level이 1E-13 에서 --> 1E-10 으로 상승했습니다.
원인분석을 어찌해야할지 모르겠어서 질문드립니다..답변부탁드립니다.
그리고 SEM 분석 결과 S/D으로 사용중인 ITO(1500)와 그 위 Mo(3000)의 계면이
열팽창에 의한것으로 예상되는 약간의 공백이 일부 발견되었습니다.
소자에 미치는 영향은 어떤것이 있을까요? 참고자료나 답변 부탁드립니다..
감사합니다.
박재형 올림.