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안녕하세요.
산화물 반도체를 공부중인 학생입니다..
제가 예전 DC 스퍼터에서 올린 IGZO의 저항값을 테스터기와 4point prove를 이용해서 측정을
해본 경험이 있습니다. 초기 저항값은 M ohm 이상으로 측정이 안되었지만 열처리 후 저항값을
측정했고 hall 측정까지 해서 논문에서 설명한 majority carrier의 증가로 홀농도는 증가, mobility
증가라는 결론을 얻었습니다. 물론 이결과는 oxygen vacancy에서 왔다고 생각합니다.
여기서 질문입니다.
1. 최근 본 논문에서 Ag/IGZO/glass 구조에서 저항값을 측정하였고
(잘은 모르겠지만 IGZO 박막위에 실버페이스트로 패턴을 만들었거나 Ag를 이용해
W/L을 갖는 패턴을 만든 것 같습니다.
as dep 상태에서 수십 ohm 측정되었고 열처리 후 저항값이 증가하였습니다.
그 이유로 산소가 박막의 vacancy로 들어온 것을 들었습니다.
열처리 분위기를 몰라 대기 열처리 시에는 산소가 유입될 수 있다고 생각합니다.
그러나 Metal은 열처리시 저항이 증가 한다고 알고 있습니다.
측정된 IGZO 저항값에 Ag의 영향은 없는걸가요?
2. 지금 저는 RF 스퍼터링을 통해서 IGZO 박막을 성막한 이후 면저항 측정기나 테스터기로 IGZO
의 저항값 측정시 나오지 않았습니다.(500C의 열처리에서도요)
저는 제 생각을 열처리에 의한 IGZO 박막의 oxygen vacancy로 두고 실험을 하였습니다.
같은 amorphous phase라도 막의 density 차이에 의해서 열에대한 영향을 덜받는 박막이 될수 있는지 궁금합니다.
3. 저는 결국 테스터기나 면저항 측정기가 아닌 HP parameter analyzer로 I-V를 통해 저항값을
측정하였습니다. 패턴없는 glass위의 IGZO의 I-V curve를 측정하였을때 생각해야하는 오차는 무
엇을 생각해야 할까요? 2prove 사용 그리고 면장의 IGZO 박막의 저항 측정 어디까지 신뢰할 수 있는지 궁금합니다.(저항값은 측정되었습니다)
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- resistance측정
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.