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반도체 장치의 배관내에서 단열팽창에 의한 온도강하 현상에 대해 문의드립니다.
실제 사용하고 있는 배관의 구조는 아래와 같습니다.
상기 배관구조에서 MFC 가 열리면 gas 가 단열팽창에 의해 온도강하가 발생하고 하기 식에 의거
MFC 후단의 온도(T2)를 계산하면 아래와 같은데 생각보다 온도가 매우 낮습니다.
본 계산식이 맞는 것인지요? 그리고 k 값(비열비)을 1.38 을 적용했는데 이 부분도 맞는지
의견 부탁드립니다.
- 단열팽창
- 온도강하
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변
이응신님의 답변
2011-12-21- 2
첨부파일
관계식이 틀렸습니다.
단열팽창일 때는 T2^k*P2^(1-k)=T1^k*P1^(1-k)입니다.
원하는 온도인 T2를 구해보면
T2 = (P1/P2)^((1-k)/k)*T1으로 값을 넣고 계산하면 대략 75.8 K가 되므로
섭씨온도로 환산하면 약 영하 194.5 도 정도 됩니다.
-------------------------------------질문-------------------------------------
반도체 장치의 배관내에서 단열팽창에 의한 온도강하 현상에 대해 문의드립니다.
실제 사용하고 있는 배관의 구조는 아래와 같습니다.
* 비열비 k는 해당 기체의 물성을 찾아보면 나옵니다. 그냥 임의로 대입하면 안됩니다.
상기 배관구조에서 MFC 가 열리면 gas 가 단열팽창에 의해 온도강하가 발생하고 하기 식에 의거
MFC 후단의 온도(T2)를 계산하면 아래와 같은데 생각보다 온도가 매우 낮습니다.
본 계산식이 맞는 것인지요? 그리고 k 값(비열비)을 1.38 을 적용했는데 이 부분도 맞는지
의견 부탁드립니다.
