2012-03-09
org.kosen.entty.User@41fc1b87
손규용(faisos)
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아래 2가지 공정도(?)가 있습니다.
결국엔 간격이 20um 인 유리판(웨이퍼, etc)을 또 다른 유리판에 수직으로 세워진 구조를 만드는 방법인데요,
바닥면에는 width 10um 인 금도선이 두께 수십nm 로 패터닝되어 있습니다.
결국 금도선이 패터닝된 기판 유리에
스페이스를 이용 간격 20um 로 띄워진 유리판을 붙이는 방식(1번)과
Bulk 유리 (실리콘)을 레이저를 통해 깍아낸 후
sputter 등을 통해 원하는 부분에 금 도선을 긋는 방식(2번) 이 있을 것입니다.
첫번째 방식의 문제는 Allign 인데요, 일반적으로 2D 상황에서의 align 은 많이들 하시는데
3차원 상황에서 두장 유리 사이에 금도선이 들어오게끔 align하는 것,
그리고 그 상태가 유지된 상황에서 수직으로 유리를 붙이는 방법의 가능여부입니다.
두번째 방식은
유리 벌크의 경우 시간을 많이 들이면 해당 형태를 만드는 것이 가능하며
실리콘을 사용할 경우 그리 오랜 시간을 들이지 않아도 해당 형태를 만드는 것이 가능하긴 합니다.
그런데 해당 3차원 형태를 만든 이후
cell gap 사이 간격이 20um 인 형태의 높이가 1cm (너비 1cm, 유리의 두께 1t)인데
sputter를 통해 20um 간격의 바닥에 금을 패터닝할 수 있느냐의 질문입니다.
이 방식이 가능할까요???
결국엔 어느 방식이 더 적당한 방법일까요?
- MEMS
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