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저만 모르는것 같지만 염치 불구하고 질문 올립니다.
[1] Wafering 시에 (100) 방향으로 성장된 wafer의 Flat zone 방향에는 왜 (010) or (001)이 아닌 (110)으로 표기를 하는지요?
[2] PMOS & NMOS는 결정방향에 따라 소자 특성이 어떠한 차이를 보이는지요?
고수님들의 답변을 부탁드립니다.
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변
윤성민님의 답변
2012-03-23- 0
이론은 복잡합니다만, 결론만 간단히 말씀드리면,
결정방향에 따라 PMOS와 NMOS의 소자 특성은 달라집니다.
왜냐하면 PMOS, NMOS 각각의 채널 캐리어인 홀과 전자는 실리콘의 결정방향에 따라 이동도가 달라집니다.
전자는 (100) 방향의 이동도가 (110) 방향의 이동도보다 크지만, 홀은 (110) 방향의 이동도가 더 큽니다.
즉 PMOS의 전류 구동능력을 높이기 위해서는 (110) 방향으로 채널을 만드는 것이 유리하게 됩니다.하지만 대부분의 경우, CMOS는 (100) 기판 위에 제작되며, 이것은 (100) 방향의 경우가 게이트절연막 형성시 고정전하밀도를 가장 낮출 수 있기 때문입니다.
하지만 최근의 나노 CMOS 공정의 경우에는, 특히 고성능(HP) 트랜지스터 타겟에서는 높은 전류 구동능력을 요구하기 때문에 PMOS를 (110) 방향으로 제조하는 공정 기술이 개발되고 있는 상황입니다.
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저만 모르는것 같지만 염치 불구하고 질문 올립니다.
[1] Wafering 시에 (100) 방향으로 성장된 wafer의 Flat zone 방향에는 왜 (010) or (001)이 아닌 (110)으로 표기를 하는지요?
[2] PMOS & NMOS는 결정방향에 따라 소자 특성이 어떠한 차이를 보이는지요?
고수님들의 답변을 부탁드립니다.