지식나눔

TFT의 구동원리

TFT의 구동 원리에 대해 알고싶습니다. MOSFET과 구동 원리가 같다고는 하지만, inversion layer가 형성되는 FET과는 달리, TFT는 캐리어가 accumulation 된다고 하는데 이 accumulation이 구체적으로 뭘 의미하는지 모르겠습니다... MOSFET은 일반적인 TEXT에서도 쉽게 그 원리를 찾아볼 수 있지만, TFT의 구동 원리에 대해서는 다들 모호하게만 설명하내요. TFT-LCD에 대한 설명만 잔뜩 나오고... 제 검색 능력이 떨어지는건지 모르겠지만... 물질(a-Si, poly-Si, Organic, nano materials 등)마다 구동원리에 큰 차이는 없어보이는데, 물리적인 해석이 구체적으로 제시된 text나 논문은 찾아보기 힘드내요. Thin film이라 당연히 inversion layer가 생기기는 힘들겠다는 생각은 드는데, accumulation된다는 의미는 직관적으로 이해하기 힘드내요. 좀 도와주시기 바랍니다...^^;;;
  • TFT
  • 박막 트랜지스터
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답변 3
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    이영범님의 답변

    설명은 논문에 잘 되어 있으니까요 ^^
    설명은 논문에 잘 되어 있으니까요 ^^
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    윤성민님의 답변

    MOSFET와 TFT의 가장 큰 구동의 차이점은 MOSFET가 inversion-depletion (반전-공핍)의 동작을 하는 데 비해 TFT는 accumulation-depletion (축적-공핍)의 동작을 한다는 것입니다. TFT에서 accumulation이란 MOSFET 축적층 형성과 같으며, n형 반도체인 경우 전자가, p형 반도체인 경우, 홀이 채널 표면에 나타나는 모드입니다. 이 때 MOSFET의 경우에는 accumulation에서 나오는 캐리어의 종류가 소스/드레인의 도핑 타입과 다르기 때문에 inversion을 통해 마이너캐리어가 표면에 나올 때 드레인 전류가 흐르게 되는 반면, TFT의 경우에는 accumulation에 의한 메이저캐리어가 채널에 존재할 때 드레인 전류가 흐르게 됩니다.
    MOSFET와 TFT의 가장 큰 구동의 차이점은 MOSFET가 inversion-depletion (반전-공핍)의 동작을 하는 데 비해 TFT는 accumulation-depletion (축적-공핍)의 동작을 한다는 것입니다. TFT에서 accumulation이란 MOSFET 축적층 형성과 같으며, n형 반도체인 경우 전자가, p형 반도체인 경우, 홀이 채널 표면에 나타나는 모드입니다. 이 때 MOSFET의 경우에는 accumulation에서 나오는 캐리어의 종류가 소스/드레인의 도핑 타입과 다르기 때문에 inversion을 통해 마이너캐리어가 표면에 나올 때 드레인 전류가 흐르게 되는 반면, TFT의 경우에는 accumulation에 의한 메이저캐리어가 채널에 존재할 때 드레인 전류가 흐르게 됩니다.
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    윤성민님의 답변

    기타 TFT 전반에 대한 내용이 잘 정리된 리뷰 페이퍼를 소개합니다. Robert A. Street, "Thin-Film Transistors," Adv. Mater. 21, 2007-2022, 2009.
    기타 TFT 전반에 대한 내용이 잘 정리된 리뷰 페이퍼를 소개합니다. Robert A. Street, "Thin-Film Transistors," Adv. Mater. 21, 2007-2022, 2009.
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