2013-05-19
org.kosen.entty.User@5e9a80d6
정은혜(aoej2651)
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첨부파일
Study of copper diffusion into Ta and TaN barrier materials
for MOS devices
S.W. Loha,*, D.H. Zhanga, C.Y. Lib, R. Liuc, A.T.S. Weec
a School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore
b Institute of Microelectronics, Science Park II, Singapore 117685, Singapore
c Department of Physics, Lower Kent Ridge Road, Singapore 119260, Singapore
이 논문내용이 궁금해요~ 요약해서 알려주시면 정말 감사하겠습니다ㅜ
- 논문해석
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답변 1
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답변
이창석님의 답변
2013-05-19- 0
Cu는 Al 대비 저항이 낮기 때문에 집적회로에 널리 활용되고 있습니다. 하지만 200도 이하에서도 Cu는 실리콘 또는 산화실리콘에 쉽게 확산(diffusion)되어 Cu-Si을 형성하고, 이는 소자 성능을 저하시키는 주요인으로 작용하기도 합니다. 따라서 이러한 Cu 확산 현상을 막기 위해 다양한 barrier 금속이 활용되고 있습니다. 따라서 연구진은 Fick's law를 활용해 barrier 금속으로 활용되는 Ta 및 TaN 내의 Cu 확산 계수를 계산함으로써, 특정 온도에서 안정적인 구동을 위해서는 어느 정도의 두께가 필요한지 알아낼 수 있는 모델을 제시했습니다. 그리고 그림 4.와 같은 소자 구조를 제작하고 실제 측정을 병행함으로써 모델이 성립함을 확인한 결과입니다.