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논문내용을 요약한것을 알고싶습니다.

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Study of copper diffusion into Ta and TaN barrier materials for MOS devices S.W. Loha,*, D.H. Zhanga, C.Y. Lib, R. Liuc, A.T.S. Weec a School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore b Institute of Microelectronics, Science Park II, Singapore 117685, Singapore c Department of Physics, Lower Kent Ridge Road, Singapore 119260, Singapore 이 논문내용이 궁금해요~ 요약해서 알려주시면 정말 감사하겠습니다ㅜ
  • 논문해석
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답변 1
  • 답변

    이창석님의 답변

    Cu는 Al 대비 저항이 낮기 때문에 집적회로에 널리 활용되고 있습니다. 하지만 200도 이하에서도 Cu는 실리콘 또는 산화실리콘에 쉽게 확산(diffusion)되어 Cu-Si을 형성하고, 이는 소자 성능을 저하시키는 주요인으로 작용하기도 합니다. 따라서 이러한 Cu 확산 현상을 막기 위해 다양한 barrier 금속이 활용되고 있습니다. 따라서 연구진은 Fick's law를 활용해 barrier 금속으로 활용되는 Ta 및 TaN 내의 Cu 확산 계수를 계산함으로써, 특정 온도에서 안정적인 구동을 위해서는 어느 정도의 두께가 필요한지 알아낼 수 있는 모델을 제시했습니다. 그리고 그림 4.와 같은 소자 구조를 제작하고 실제 측정을 병행함으로써 모델이 성립함을 확인한 결과입니다.
    Cu는 Al 대비 저항이 낮기 때문에 집적회로에 널리 활용되고 있습니다. 하지만 200도 이하에서도 Cu는 실리콘 또는 산화실리콘에 쉽게 확산(diffusion)되어 Cu-Si을 형성하고, 이는 소자 성능을 저하시키는 주요인으로 작용하기도 합니다. 따라서 이러한 Cu 확산 현상을 막기 위해 다양한 barrier 금속이 활용되고 있습니다. 따라서 연구진은 Fick's law를 활용해 barrier 금속으로 활용되는 Ta 및 TaN 내의 Cu 확산 계수를 계산함으로써, 특정 온도에서 안정적인 구동을 위해서는 어느 정도의 두께가 필요한지 알아낼 수 있는 모델을 제시했습니다. 그리고 그림 4.와 같은 소자 구조를 제작하고 실제 측정을 병행함으로써 모델이 성립함을 확인한 결과입니다.
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