2013-08-14
org.kosen.entty.User@298f2948
박서준(freshborn)
- 3
ZnO 물질은 본래 화학양론적 조성일 경우 저항이 아주 높지만
박막화 되면서 비화학양론적 조성을 갖으며 반도체물질이 되는것으로 알고 있습니다.
보통 정상적인 ZnO박막의 저항은 킬로옴으로 알고 있습니다.
하지만 몇몇 논문이나 저의 연구실 같은 경우 RF magnetron sputtering으로 10 6승~8승 옴이 나옵니다...
저는 AZO를 연구하는 석사과정 대학원생입니다.
처음에는 AZO가 킬로옴단위가 나와서 무엇이 문제인가.. 여러가지 생각을 해보다가
순수 ZnO에서 10 8승까지 나오는것을 보고.. 무언가 이상하다는 생각이 들었습니다.
조건의 문제도 아닙니다...........여러가지 조건을 모두 적용시켜보았으며
타겟의 문제일까 해서 다른연구실 가서 올려보니 제대로 나옵니다..
정말 미궁속으로 빠졌습니다..
원인이 무엇일까요.. 저처럼 AZO가 킬로옴이 나오거나 ZnO가 메가옴이상으로 나오는 곳이 생각보다 많더라구요. 하지만 원인은 아무도 모르더라구요...
작은 도움의 한마디라도 부탁드리겠습니다.
- ZnO
- sputter
- thinfilm
지식의 출발은 질문, 모든 지식의 완성은 답변!
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 3
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답변
안길홍님의 답변
2013-08-15- 0
RF sputtering시의 여러가지 조건이 다르기 때문에 그 결과는 당연히 달라집니다. Sputtering시의 간단한 조건을 들어 보면 chamber내의 진공도, 적용전압 및 전류, 주입 가스의 종류, 기체압력, target와 음극과의 간격 등등 여러가지 조건이 같을 수가 없습니다. 그리고 위에서 10의6승 등과 같은 수치는 electrical resistivity로써 저항 resistance와는 다른 개념입니다. Electric resistivity는 electrical conductivity를 나타내고 있으며, 단위는Ω cm로써 나타내어 집니다. AZO에 대하여 연구를 하고 있으므로, sputtering할 때 check하여야 할 사항을 list로 만들어서 한가지라도 빠뜨리지 말고 기입하여 조건에 대한 결과를 꼼꼼히 세세히 기록하여야 됩니다. 그리고 장비의 상태 및 사용한 년수 등등 장비에 대한 것도 세밀히 점검하여 기록하여 둠이 필요합니다. 이러한 내용에 대한 자료를 첨부합니다. -
답변
이상호님의 답변
2013-08-15- 0
ZnO나 AZO 등과 같은 물질의 저항은 물질의 특성에 매우 민감하게 반응합니다. 특히 산소의 농도가 조금만 변화하여도 저항은 크게 달라집니다. 따라서 문헌에 있는 설비와 조건을 그대로 따라하여도 같은 저항을 얻기가 힘듭니다. (chamber의 conditioning에 따라서도 저항이 바뀔 수 있습니다). 그래서, AZO의 저항 특성 자체를 연구하는 것이 아니고 AZO를 사용하여 device를 만드는 것이 목적이라면, 재현성 있는 저항을 얻을 수 있는 조건을 찾아서 사용하셔야 합니다.
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답변
안길홍님의 답변
2013-08-16- 0
파일 재첨부합니다.
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