2013-10-23
org.kosen.entty.User@473ac879
이진선(jinseou)
- 1
SiC SBD에 대하여 공부중입니다.
자료를 읽는 중에
With a significantly wider band gap (2.3eV for 3C-SiC, 2.9eV for 6H-SiC and 3.3eV for 4H-SiC) than silicon, the critical field of SiC is approximately eight to ten times higher than that of the latter.
이런 문장이 있는데
critical field라는 단어를 처음 접해서 의미하는 바를 잘 모르겠습니다.
바로 뒷 문장을 보면
As a result, SiC high voltage devices can be realized on much thinner drift layers with higher doping, leading to orders-of-magnitude lower device on-state resistance.
이렇게 되어 있는데 추측하기로는 breakthrough와 유사한 개념이 아닌가 싶은데 확실하게 알고싶습니다.
이 분야에 대하여 전문가 분들께 답변을 부탁드립니다.
감사합니다.
- SiC
- Schottky
- diode
지식의 출발은 질문, 모든 지식의 완성은 답변!
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
답변 1
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답변
안길홍님의 답변
2013-11-01- 1
Critical field는 반도체에 사용되는 의미로써 SiC는 bandgap이 Si 보다 넓기 때문에 Si보다 8~10배 정도의 Critical field를 가진다는 것으로써 이는 파괴전계가 높다는 것입니다.
이에 대하여 첨부 자료를 참고바랍니다.
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