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지식나눔

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실리콘 중심 금속에 인 리간드를 배위시킬 수 있을까요

2014-06-12 org.kosen.entty.User@2d4c360b 이종훈(coldblink)
  • 1

Si 금속에 PPh3 를 이용하여 Cluster를 형성하고 싶습니다.

그러나 Si에는 배위되어있는 리간드가 없는 상태 입니다.

이 때 배위시키거나 interaction 을 하도록 할 수 있을지 여쭤보고 싶습니다.

사실 안될 것 같습니다만 안되는 이유를 알고 싶습니다.

전이금속의 정의에 의거한다던지 전기음성도 오비탈 ...등등 일 것인데

명확한 답을 찾기 어렵네요
  • 배위
  • 실리콘
  • 인
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답변 1
  • 답변

    안길홍님의 답변

    2014-06-12
    • 1

    첨부파일

    Si에는 타 물질이 들어갈 수 있는 공간이 없습니다.
    따라서  ligand를 형성하거나 intercalation될 여지가 없습니다.
    Si자체는 진성반도체(intrinsic semiconductor)로써 doping하는 방법을 사용합니다.
    P로써 doping하면 n-type 반도체가 됩니다.
    답변수정
    Si에는 타 물질이 들어갈 수 있는 공간이 없습니다.
    따라서  ligand를 형성하거나 intercalation될 여지가 없습니다.
    Si자체는 진성반도체(intrinsic semiconductor)로써 doping하는 방법을 사용합니다.
    P로써 doping하면 n-type 반도체가 됩니다.
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