2014-06-12
org.kosen.entty.User@4ece2413
이종훈(coldblink)
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Si 금속에 PPh3 를 이용하여 Cluster를 형성하고 싶습니다.
그러나 Si에는 배위되어있는 리간드가 없는 상태 입니다.
이 때 배위시키거나 interaction 을 하도록 할 수 있을지 여쭤보고 싶습니다.
사실 안될 것 같습니다만 안되는 이유를 알고 싶습니다.
전이금속의 정의에 의거한다던지 전기음성도 오비탈 ...등등 일 것인데
명확한 답을 찾기 어렵네요
- 배위
- 실리콘
- 인
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 1
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답변
안길홍님의 답변
2014-06-12- 1
Si에는 타 물질이 들어갈 수 있는 공간이 없습니다.
따라서 ligand를 형성하거나 intercalation될 여지가 없습니다.
Si자체는 진성반도체(intrinsic semiconductor)로써 doping하는 방법을 사용합니다.
P로써 doping하면 n-type 반도체가 됩니다.