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지식나눔

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Passivation layer material TiO/SiN or TiO/SiC

2014-07-15 org.kosen.entty.User@c8fd6c8 민진선(kelly0714)
  • 1
안녕하세요.
궁금한 것이 있어서 이렇게 글을 올리게 되었습니다.

보통 흔히 반도체에서 사용하는 passivation 재료로 Al/SiO/SiN을 사용하는 것으로 알고 있는데요,

Al 위에 TiO/SiC 층의 구조로 사용하는 경우가 있는지, 또는 TiO/SiN 의 passivation 구조를 사용하는 경우가 있는지, 이에 대한 자료 있으시면 공유 부탁드립니다.  
  • Passivation
  • 반도체
  • TiO
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답변 1
  • 답변

    안길홍님의 답변

    2014-07-15
    • 0

    첨부파일

    Metal-Oxide-Semiconductor(MOS)구조로써 SiO2를 Al위에 올리는 이유는 high-k로써 절연층을 형성하기 위하여서 입니다. 그러나 TiO2는 매우 낮은 k를 가지고 있으므로 절연층으로써의 역활을  할 수 없습니다.
    따라서 MOS구조에서는 TiO2를 사용하지 않습니다.
    k가 높다는 것은 V=iR에서 저항 R이 높다는 것입니다. 저항이 높으면 같은 전류를 흘리더라도 전압이 높게 형성되므로 MOS구조에서 Oxide층은 high-k산화물을 사용하게 되는 이유입니다.
    (이는 P=Vi에서도 그 이유를 찾을 수 있습니다. 동일한 전류에서 V가 높으면 power가 높아집니다)
    답변수정
    Metal-Oxide-Semiconductor(MOS)구조로써 SiO2를 Al위에 올리는 이유는 high-k로써 절연층을 형성하기 위하여서 입니다. 그러나 TiO2는 매우 낮은 k를 가지고 있으므로 절연층으로써의 역활을  할 수 없습니다.
    따라서 MOS구조에서는 TiO2를 사용하지 않습니다.
    k가 높다는 것은 V=iR에서 저항 R이 높다는 것입니다. 저항이 높으면 같은 전류를 흘리더라도 전압이 높게 형성되므로 MOS구조에서 Oxide층은 high-k산화물을 사용하게 되는 이유입니다.
    (이는 P=Vi에서도 그 이유를 찾을 수 있습니다. 동일한 전류에서 V가 높으면 power가 높아집니다)
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