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지식나눔

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InN에서 질소의 효과와 그 메커니즘

2014-09-17 org.kosen.entty.User@29b7dd0f 배지환(miracle0145)
  • 2
In2O3 타겟에 N2가스로 RF 반응성 스퍼터링을 하면 그냥 In2O3 보다 밴드갭이 작아 지지 않습니까??

여기서 N2의 효과와 그 메커니즘에 대해 알고 싶습니다.
알려 주세요,

혹시 관련 논문있으면 올려주십시요
  • InN
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답변 2
  • 답변

    안길홍님의 답변

    2014-09-18
    • 2

    첨부파일

    관련 논문 첨부합니다.
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    관련 논문 첨부합니다.
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  • 답변

    신동협님의 답변

    2014-09-22
    • 1
    In2O3의 bandgap과 InN의 bandgap이 섞이면

    조성에 따라서 bandgap이 bowing하는 것은 compound ceramic 물질에서 일반적인 특징입니다.

    예를 들어 ZnO-ZnS의 물질이 섞이면

    ZnO 3.3 eV/ZnS 3.7 eV가 특정 섞인 조성에서 3.0 eV 미만이 되는 값도 있습니다.

    이런 이유는 물질의 조성이 바뀌면 전자구조의 가전자대나 전도대가 모두 바뀌기 때문입니다.
    답변수정
    In2O3의 bandgap과 InN의 bandgap이 섞이면

    조성에 따라서 bandgap이 bowing하는 것은 compound ceramic 물질에서 일반적인 특징입니다.

    예를 들어 ZnO-ZnS의 물질이 섞이면

    ZnO 3.3 eV/ZnS 3.7 eV가 특정 섞인 조성에서 3.0 eV 미만이 되는 값도 있습니다.

    이런 이유는 물질의 조성이 바뀌면 전자구조의 가전자대나 전도대가 모두 바뀌기 때문입니다.
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