2014-11-29
org.kosen.entty.User@252d0c90
김종수(kjskumal)
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1. Graphene과 MoS2사이에 쇼트키장벽이 꽤 큰이유가 둘간 격자상수가 크기 때문 맞나요?? 두물질 사이에 격자상수가 크고 작음에 따라 어떤 일들이 일어나는지 궁금합니다.
2. 만약 격자상수의 차이가 큰 두 물질간에 전자나 홀의 이동에 있어서 격자상수가 작은곳에서 큰쪽으로의 이동이 수월한가요 아니면 큰쪽에서 작은쪽으로의 이동이 수월한가요? 아니면 같은가요?
3. 위 1번이 맞다면 그래핀과 격자상수가 비슷한 반도체물질에는 무엇이 있나요 아니면 격자상수 Table같은 것이 좀 있나요?
2. 만약 격자상수의 차이가 큰 두 물질간에 전자나 홀의 이동에 있어서 격자상수가 작은곳에서 큰쪽으로의 이동이 수월한가요 아니면 큰쪽에서 작은쪽으로의 이동이 수월한가요? 아니면 같은가요?
3. 위 1번이 맞다면 그래핀과 격자상수가 비슷한 반도체물질에는 무엇이 있나요 아니면 격자상수 Table같은 것이 좀 있나요?
- Lattice constant
- Graphene
- MoS2
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 3
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답변
신동협님의 답변
2014-12-01- 2
일반적으로 계면의 에너지 장벽은 일함수 차이에 의해 발생합니다.
격자상수는 결함 레벨을 형성하여 페르미 레벨을 피닝하여 차이에 또한 영향을 줄 수 있습니다.
하지만 이는 경우에 따라서 달라져서 예측하기 쉽지 않습니다.
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답변
안길홍님의 답변
2014-12-01- 2
먼저 Graphene에 대하여 먼저 파악함이 필요하겠습니다. Graphene은 Carbon으로 이루어진 금속성 반도체라고 할 수 있으며, π전자가 평면으로 이동하는 구조입니다.
따라서 Graphene과 MoS2와의 접합은 금속-반도체간의 접합이라고 할 수 있습니다. 이러한 쇼트키접합에서는 ohmic 접합이 됩니다. 또한 이러한 접합의 MoS2는 bandgap으로 나타내는 것이 아니고 work function으로 나타내게 됩니다. MoS2의 work function은 첨부 자료와 같이 4.48-5.2eV로써 비교적 높은 일함수를 나타내고 있습니다.
Graphene과 비슷한 격자상수는 Au정도가 되겠습니다.
김강형(kimsimon) 2014-12-02그런데 Au위에서 그래핀을 성장시킨 실험결과는 그리 좋지 않았습니다. BN과 같은 2차원 물질 위에 성장시킨 경우가 더 좋은 특성을 나타낸다고 들었습니다. 전하이동도같은 특성은 격자상수 외에 다른 요인이 있는 것 같습니다.
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답변
안길홍님의 답변
2014-12-03- 1
graphene과의 적합성은 SiC가 가장 적합합니다.
자료 참고 바랍니다.