2014-12-26
org.kosen.entty.User@202bd696
김종수(kjskumal)
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1. Graphene이 CVD로 합성만 하면 P-doping이 되는데 무슨이유로 doping이 되는지가 궁금하고 합성된 그래핀의 bilayer가 doping site로 작용한다는데 어떤 매커니즘으로 그런지 궁금합니다.
2. Graphene을 n도핑하기 위해 PEI를 사용한다는데 이 PEI가 어떤 물질이고 어떻게 그래핀을 n 도핑 시키는지 궁금합니다
2. Graphene을 n도핑하기 위해 PEI를 사용한다는데 이 PEI가 어떤 물질이고 어떻게 그래핀을 n 도핑 시키는지 궁금합니다
- Graphene
- PEI
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답변 2
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답변
신동협님의 답변
2014-12-27- 1
안녕하세요,
그래핀은 이종원소의 도핑에 의해서 전기적 특성이 바뀔 수 있습니다.
3+ 가전자수의 도핑(B)은 p형/5+ 가전자수의 도핑(N,P)은 n형으로 조절 가능합니다.
그래서 도핑가스의 오염에 의해서 원하지 않는 도핑이 될 수도 있다고 생각합니다.
참고로 이종 원소의 도핑에 의한 전기적 특성에 대한 리뷰 자료를 보내드립니다.
도움이 될길 바랍니다.
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답변
안길홍님의 답변
2014-12-27- 1
1. CVD에 의하여 Graphene을 합성할 경우 doping이 되는 원인은 CVD에 사용되는 gas에 원인이 있습니다. 첨부 자료
2. Graphene을 n-type 또는 p-type으로 doping하는 첨부 자료 참고 바랍니다.