2015-03-23
org.kosen.entty.User@66947a79
이홍규(leehk8325)
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반도체 공정중 wafer를 연마하는데 사용되는 여러 방법중에 SiO2를 연마제로 사용하는 방법이 있습니다.
근데 이때 SIO2 (연마제) NH3OH,KOH, H2O, 그리고 wafer 표면(SiO2) 사이에 일어나는 화학 반응실을 알고 싶습니다.
논문에 의하며 SiO2표면이 연마 슬러리에 접촉하면 연삭되기 시운 수화물인 Si(OH)4로 변질되고 이 수화물이 실리카 연마입자에 의해 연삭된다고 나오는데. 자세한 반응 메카니즘을 알고 싶습니다.
SiO2 -> Si(OH)4 -> 떨어짐
요 반응 사이에 필요한 반응 원리와 메카니즘을 알고 싶습니다.
참고로 SiO2 가 Si(OH)4로 가는 반응이 쉬운 반응은 아닌데, 어떻게 반응이 가는건지 자세히 알고싶습니다.
근데 이때 SIO2 (연마제) NH3OH,KOH, H2O, 그리고 wafer 표면(SiO2) 사이에 일어나는 화학 반응실을 알고 싶습니다.
논문에 의하며 SiO2표면이 연마 슬러리에 접촉하면 연삭되기 시운 수화물인 Si(OH)4로 변질되고 이 수화물이 실리카 연마입자에 의해 연삭된다고 나오는데. 자세한 반응 메카니즘을 알고 싶습니다.
SiO2 -> Si(OH)4 -> 떨어짐
요 반응 사이에 필요한 반응 원리와 메카니즘을 알고 싶습니다.
참고로 SiO2 가 Si(OH)4로 가는 반응이 쉬운 반응은 아닌데, 어떻게 반응이 가는건지 자세히 알고싶습니다.
- CMP
- SiO2
- mechanism
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 1
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답변
오현철님의 답변
2015-05-07- 2
그림 1에 자세히 나와있습니다.
https://www.physics.gatech.edu/files/u26/papers/0256.pdf