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지식나눔

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OFETs 질문 드립니다.

2015-09-02 org.kosen.entty.User@63bbe8a 이상준(juny6600)
  • 1
제가 논문을 보다가 OFET에 관련되서 나오는데 
이런식으로 그래프 값이 나오는데
• μhole (cm2V-1s-1)
• Vth (V) : threshold voltage
• Ion/Ioff 
효율성 관련해서 각각의 용어를 설명해주세요. 

 
  • OFET
  • 트렌지스터
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 1
  • 답변

    박영환님의 답변

    2015-09-04
    • 2
    μhole (cm2/V.s)은 정공(hole)의 이동도입니다.
    이동도란 전기장을 걸었을 때 전하가 얼마의 속도로 움직이는지 값이라 생각하시면 됩니다.
    단위를 쪼개어서, cm2/V.s = (cm/s)/(V/cm) = (속도)/(전기장)으로 이해하십시오.
    threshold voltage는 문턱전압인데, 전기가 통하는 최소한의 전압을 의미합니다.
    즉, 전계효과 트랜지스터에서 게이트 전압이 threshold voltage 이상이 되어야 소스-드레인 사이에 전류가 흐르게 됩니다.
    마지막 Ion/Ioff 는 on-off 비율인데, 앞서 문턱전압 이하라 하더라도 누설전류가 흐릅니다.
    이렇게 on 상태와 off 상태에서의 전류가 얼마나 차이가 나는지를 나타낸 수치입니다.
    게이트 위에 올려진 유기 반도체 물질의 이동도가 클수록, threshold voltage가 낮을수록, Ion/Ioff 비율이 클수록 OFET의 성능이 좋다고 할 수 있겠죠.
    아래 코센 분석물을 참조해 보십시오.

    http://www.kosen21.org/work/03_information/0301_kosenReport/board_report_detailview.jsp?bid=0000000761157&id_major=0000000000761157&start=0&currentPageNum=1&listSize=10&multisubject=EF/EB/NC/EC/&boardname=&type=
    답변수정
    μhole (cm2/V.s)은 정공(hole)의 이동도입니다.
    이동도란 전기장을 걸었을 때 전하가 얼마의 속도로 움직이는지 값이라 생각하시면 됩니다.
    단위를 쪼개어서, cm2/V.s = (cm/s)/(V/cm) = (속도)/(전기장)으로 이해하십시오.
    threshold voltage는 문턱전압인데, 전기가 통하는 최소한의 전압을 의미합니다.
    즉, 전계효과 트랜지스터에서 게이트 전압이 threshold voltage 이상이 되어야 소스-드레인 사이에 전류가 흐르게 됩니다.
    마지막 Ion/Ioff 는 on-off 비율인데, 앞서 문턱전압 이하라 하더라도 누설전류가 흐릅니다.
    이렇게 on 상태와 off 상태에서의 전류가 얼마나 차이가 나는지를 나타낸 수치입니다.
    게이트 위에 올려진 유기 반도체 물질의 이동도가 클수록, threshold voltage가 낮을수록, Ion/Ioff 비율이 클수록 OFET의 성능이 좋다고 할 수 있겠죠.
    아래 코센 분석물을 참조해 보십시오.

    http://www.kosen21.org/work/03_information/0301_kosenReport/board_report_detailview.jsp?bid=0000000761157&id_major=0000000000761157&start=0&currentPageNum=1&listSize=10&multisubject=EF/EB/NC/EC/&boardname=&type=
    이상준(juny6600) 2015-09-06

    감사합니다.

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