2015-09-10
org.kosen.entty.User@84a24b1
김종수(kjskumal)
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채널 = 그래핀
소스, 드레인 = 골드
gate dielectric = 300nm SiO2 => C(capacitance)=1.10E-08 [F/Cm^2]
게이트 = heavily p-doped Si
흔히 쓰는 실리콘위 옥사이드가 깔려있는 기판에 위와 같은 정보대로 그래핀 채널
MOSFET소자를 만들었고 back gate로 transfer curve를 찍어보았더니 dirca voltage가 20V에서 나왔습니다. 그리고 논문들을 찾아보았더니 그래핀의 work function은 4.5eV라고 나와있는데 이떄 dirca이 20V에서 형성되는 이 그래핀의 fermi level을 구하는 방법을 좀 알고 싶습니다. 어떤 식을 써야 하는지 혹시 이와 관련된 논문이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.
소스, 드레인 = 골드
gate dielectric = 300nm SiO2 => C(capacitance)=1.10E-08 [F/Cm^2]
게이트 = heavily p-doped Si
흔히 쓰는 실리콘위 옥사이드가 깔려있는 기판에 위와 같은 정보대로 그래핀 채널
MOSFET소자를 만들었고 back gate로 transfer curve를 찍어보았더니 dirca voltage가 20V에서 나왔습니다. 그리고 논문들을 찾아보았더니 그래핀의 work function은 4.5eV라고 나와있는데 이떄 dirca이 20V에서 형성되는 이 그래핀의 fermi level을 구하는 방법을 좀 알고 싶습니다. 어떤 식을 써야 하는지 혹시 이와 관련된 논문이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.
- fermi level
- graphene
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 2
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답변
김강형님의 답변
2015-09-12- 1
첨부파일
제가 그래핀의 물성 측정 쪽은 정확히 알지 못해서 시원한 답을 드리지는 못합니다만, 알고 계신 그래핀의 WF값은 물리학자들이 계산하여 유추한 값을 실험에서 아주 순수하고 깨끗한 그래핀으로 측정했을 때의 값으로 짐작됩니다.
따라서 그래핀의 WF값이 다른 경우는 그래핀이 단층이 아니거나 그래핀이 산화되거나 다른 것이 붙어서 도핑효과로 인해 바뀐 것일 수 있다는 생각이 들어서 알려드립니다.
그리고 원래 그래핀은 금속성을 띠어서 이론적으로 아주 깨끗한 그래핀은 band gap이 0가 나온다고 합니다.
아래 사이트의 논문을 다운받으셔서 참고해 보세요.
http://www.mdpi.com/2079-4991/4/2/267
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답변
김종수님의 답변
2015-09-15- 1
답변이 질문의도에 맞지 않습니다.
김강형(kimsimon) 2015-09-17그래핀으로 박사학위를 받은 젊은 친구에게 물어보니 오래 되어 기억이 정확하진 않은데 디락 볼트를 측정하고 나서 carrier concentration을 구하고 다시 Fermi level 로 변환하는 식이 있다고 합니다.
그래핀 band gap이 0인 것은 이미 알고 있지만 그걸 물어본 것이 아니고 디락이 0V가 아닌 +20V 쪽에서 나온 걸 보고 그래핀에 대기에 의해 약간 산화된 것도 알고 있으며 그때 fermi level 이 얼마나 변하는지를 여쭤본겁니다